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产品属性
属性值
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制造商:
Infineon
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
55 V
Id-连续漏极电流:
17 A
Rds On-漏源导通电阻:
70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1.8 V
Qg-栅极电荷:
13.3 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
45 W
通道模式:
Enhancement
封装:
Tube
商标:
Infineon / IR
配置:
Single
高度:
15.65 mm
长度:
10 mm
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
100
子类别:
MOSFETs
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
4.4 mm
零件号别名:
IRFZ24NPBF SP001565128
单位重量:
2 g