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RS1E260ATTB1

发布时间:2021/9/15 9:24:00 访问次数:49发布企业:深圳市科雨电子有限公司

RS1E260ATTB1 制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HSOP-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 175 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 40 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 320 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 78 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 350 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
单位重量: 771.020 mg

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