从图中可以看出束射四极管的几个结构特点：
1. 阴极为椭圆型，这就增加了阴极的有效发射面积，从而增加了热电子的发射量。
2. 和五极管一样，在抑制栅极和阳极之间加有帘栅极，作用前面说过了。
3. 在帘栅极和和阳极之间加了一对弓型金属板（说到重点了，注意下面的表述），这就是集束屏。集束屏在管内和阴极相连即与阴极等电位，它迫使已经越过帘栅极的电子流只能沿弓型金属板的开口方向成束状射向阳极。好啦，咱们复习一下初中知识即电流的定义：单位时间内流过单位截面积的电子流。在这里当电子流成束状射出时密度必然增加，所以阳极电流就这样被巧妙的加大了。这就是束射四极管在保持和其它功率管体积差别不大的前提下，能够形成比其它功率管更大的阳极电流的关键。
STM32F423RHT6TR基于ARM® Cortex®-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator™，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。
由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。
属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。
带DSP和FPU，具有1,5 MB Flash、100 MHz CPU和ART加速器。
具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。
STM32F423RHT6TR如有需要，欢迎联系，电话：0755-82524647，手机/微信：13049865222，QQ：1711624997。
STM32F423RHT6TR" alt="STM32F423RHT6TR" />STM32F423RHT6TR参数
料号 STM32F423RHT6TR
特性 带DSP和FPU的高性能基本型系列ARM Cortex-M4 MCU，具有1,5 MB Flash、100 MHz CPU、ART加速器、DFSDM和AES
状态 Active
封装 LQFP 64 10x10x1.4 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 100
程序存储器大小 (kB) 1536
双组闪存 false
数据RAM大小(kB) 320
计时器(16-bit) 12
计时器 (32-bit) 2
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 1
通道数量 16
D/A转换器 2
输入/输出端数量 50
显示控制器 -
CAN接口数量 3
I2C接口数量 3
SPI接口数量 5
I2S接口数量 5
USART接口数量 4
UART接口数量 3
存储器扩展接口 FSMC,Quad SPI
USB类型 USB OTG FS
加密技术 AES
TRNG true
电源电压 (V) min 1.7
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 1.1
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 112
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85
STM32F423RHT6TR电路原理图" alt="STM32F423RHT6TR电路原理图" />作为ST代理分销商，深圳西昂特科技备有STM32F423RHT6TR现货并提供样品零售。公司承诺所有产品均为原装，图片批次仅为参考，新批次随时更新，如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员，我们将为你详细解答。如需技术支持，请向西昂特科技技术部寻求选型支持。
深圳西昂特科技除了以上STM32F423RHT6TR以外，还提供多种规格多种品牌的32.768KHZ，16MHZ，20MHZ，24MHZ，30 MHz等频率晶体及有源或温补晶振，时钟芯片，陀螺仪传感器，滤波器，双工器，连接器等。如有需要，欢迎垂询。
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