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MCH6662

发布时间:2021/9/14 17:11:00 访问次数:106发布企业:深圳市百域芯科技有限公司

MCH6662_SUF1002导读

日前,Vishay Intertechnology, Inc. 宣布,推出温度系数(TCR)低至 2 ppm/K,0603、0805和1206外形尺寸新型器件,扩充其TNPU e3系列汽车级高精度薄膜扁平片式电阻。

上面就是功率mos管NCE80H12的规格书,我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。


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APM9926KC-TRL

NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。

Felix Zandman经历了大屠杀,失去了至亲,在漆黑的地下、在死亡阴霾中生活了17个月,他却并未因此一蹶不振,他在苦难中坚强,以他的个人才华创办了Vishay,在电子元器件行业乃至科技发展史上留下浓重的一笔。今天Felix Zandman博士写的物理书在很多大学作为基础教材使用,他的自传被译成中文和其他很多种语言。。2004年 财富杂志选择Vishay作为美国较令人钦佩的公司之一。

MOS管3306产品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、无铅绿色设备 3、低电阻开关,减少导电损耗 4、高雪崩电流。

NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。


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TPC8210

NCE2060K NCE2090K NCE20H11K NCE20H18 NCE20H20 。

NCE4612SP NCE30H32VD NCE3402 NCE3402A NCE30H21 。

饱满区(UDS>UGS-UT)在上述三个区域保卫的区域即为饱满区,也称为恒流区或放大区。功率MOSFET应用在开关电源和逆变器等功率变换中,就是工作在截止区和击穿区两个区。 。击穿区在相当大的漏——源电压UDS区域内,漏极电流近似为一个常数。当UDS加大道必定数值今后,漏极PN结发生击穿,漏电流疾速增大,曲线上翘,进入击穿区。

MOS管寄生电容结构如下,其中,多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等都是影响寄生电容的因素。。

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NCE2302C NCE8205t NCE2004Y NCE2006Y NCE2007NS 。

NCE2302D NCE2302F NCE1012E NCE2302B NCE2302 。


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