MRFX1K80HR5

制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: Dual N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 43 A
Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 179 V
工作频率: 1.8 MHz to 400 MHz
增益: 25.1 dB
输出功率: 1.8 kW
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-1230H-4
封装: Cut Tape
封装: Reel
系列: MRFX1K80
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值: 44.7 S
通道数量: 2 Channel
Pd-功率耗散: 2247 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
零件号别名: 935351859178
单位重量: 13.159 g