1N4448HLP-7表面贴装快速开关二极管，二极管（通用，功率，开关）80V 125mA

1N4448HLP-7特性：

1N4448HLP-7表面贴装快速开关二极管，二极管（通用，功率，开关）80V 125mA
快速开关速度超小型表面贴装封装低反向泄漏电流，1N4448HLP-7适用于电池供电的便携式应用，完全无铅且完全符合RoHS（注1和2），无卤素和锑。绿色设备（注3）符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

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品质承诺：所有提供产品均为原厂生产。

特色优势：高端物料、军品级（宇航级）物料、停产料、紧缺料。

彼时英特尔宣布的SuperFin技术，是一项媲美制程节点转换的技术。SuperFin其实是两种技术的叠加，即Super MIM（Metal-Insulator-Metal）电容器+增强型FinFET晶体。从参数上来看，增强型FinFET拥有M0和M1处关键层0.51倍的密度缩放、单元更小晶体密度更高、通孔电阻降低2倍、最低的两个金属层提高5-10倍电迁移。


Intel 7：英特尔此前称之为10nmEnhanced SuperFin，即对SuperFin技术继续打磨。Intel 7将会亮相的产品包括2021年面向客户端的Alder Lake以及2022年第一季度面向数据中心的Sapphire Rapids。


据介绍，通过对FinFET晶体管优化，每瓦性能对比此前发布的10nmSuperFin提升约10% - 15%。优化方面包括更高应变性能、更低电阻的材料、新型高密度蚀刻技术、流线型结构，以及更高的金属堆栈实现布线优化。而在本次宣布中英特尔彻底删除掉“nm”，改为综合PPA评定的每瓦性能。


Intel 4：英特尔此前称之为Intel 7nm。Intel 4将于2022年下半年投产，2023年出货，产品包括面向客户端的Meteor Lake和面向数据中心的Granite Rapids。


需要注意的是，Intel 4是首个完全采用EUV光刻技术的英特尔FinFET节点，EUV采用高度复杂的透镜和反射镜光学系统，将13.5nm波长的光对焦，从而在硅片上刻印极微小的图样。相较于之前使用波长为193nm的光源（DUV）的技术，这是巨大的进步。与Intel 7相比Intel 4的每瓦性能提高了约20%。


一直以来，制程节点都是衡量工艺演进的重要数字。一串看似无规律的数字，实际上背后隐含的是摩尔定律所划分的晶体管栅极最小线宽。
在制程节点方面，帕特·基辛格宣布将会以每瓦性能作为关键指标来衡量工艺节点的演进，这是因为对于半导体产品来说，PPA（performance,power and area，性能、功耗、面积）是非常重要的指标。


按照目前的进度来说，英特尔在去年架构日正式宣布10nmSuperFin，并在后续新品中使用。展望后续，将会以全新的方式命名。


Intel10nmSuperFin：这项技术是在2020年架构日正式宣布的，同年7月在TigerLake中使用；后续2021年至强IceLake和AgilexFPGA新产品中也已开始使用。




Intel 3：Intel 3继续受益于FinFET技术，Intel 3将于2023年下半年开始生产相关产品。


这是一个比通常的标准全节点改进水平更高的晶体管性能提升。Intel 3将实现更高密度、更高性能的库；提高了内在驱动电流；通过减少通孔电阻，优化了互连金属堆栈；与Intel 4相比，Intel 3在更多工序中增加了EUV的使用。较之Intel 4，Intel 3将在每瓦性能上实现约18%的提升。


Intel 20A：PowerVia和RibbonFET这两项突破性技术正式开启了埃米时代，Intel 20A预计将在2024年推出。所谓Intel 20A中的“A”代指埃米，1埃米Angstrom =10^-10，1纳米=10埃米。


根据介绍，PowerVia是英特尔独有、业界首个背面电能传输网络，它消除晶圆正面的供电布线需求，优化信号布线，同时减少下垂和降低干扰。RibbonFET是英特尔对于GAA晶体管的实现，是公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构，提供更快的晶体管开关速度，同时以更小的占用空间实现与多鳍结构相同的驱动电流。


Intel 18A：这仅仅是一种前瞻性说法，未来英特尔将会继续提升RibbonFET，Intel 18A是面向2025年及更远的未来的。此时，行业将继续向更小的埃米提升。


需要特别注意的是，英特尔还将会定义、构建和部署下一代High-NA EUV，并有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。英特尔正与ASML密切合作，确保这一行业突破性技术取得成功，超越当前一代EUV。
但摩尔定律每两年翻一番速度之下，早在1997年栅极长度和半截距就不再与这种节点名称匹配。更何况行业已逼近1nm的极限，行业需要更加科学和更加精密的表述形式。


日前，英特尔CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）重磅宣布公司有史以来最为详细的制程技术路线图，不仅宣布在2024年进入埃米（Angstrom）时代，还宣布了将以更加科学先进的方式度量制程节点。除此之外，与之相关的突破性架构和技术以及未来的规划逐一被披露。