PGA26E19BA
製造商:
Panasonic
產品類型:
MOSFET
RoHS:
詳細資料
技術:
GaN
安裝風格:
SMD/SMT
封裝/外殼:
DFN-8
晶體管極性:
N-Channel
通道數:
1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:
600 V
Id - C連續漏極電流:
19 A
Rds On - 漏-源電阻:
140 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:
-
Vgs th - 門源門限電壓 :
1.2 V
Qg - 閘極充電:
2 nC
最低工作溫度:
- 55 C
最高工作溫度:
+ 150 C
Pd - 功率消耗 :
83 W
通道模式:
Enhancement
公司名稱:
X-GaN
配置:
Single
系列:
PGA26E19BA
品牌:
Panasonic
下降時間:
2.4 ns
濕度敏感:
Yes
產品類型:
MOSFET
上升時間:
5.2 ns
原廠包裝數量:
200
子類別:
MOSFETs
標準斷開延遲時間:
3.4 ns
標準開啟延遲時間:
3.4 ns
零件號別名:
PGA26E19BA2
每件重量:
161.193 mg