TP65H300G4LSG

TP65H300G4LSG 製造商: Transphorm
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: GaN
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PQFN-88-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V
Id - C連續漏極電流: 6.5 A
Rds On - 漏-源電阻: 312 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 18 V, + 18 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.6 V
Qg - 閘極充電: 9.6 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 21 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: SuperGaN
封裝: Tube
系列: TP65H
晶體管類型: 1 N-Channel
品牌: Transphorm
下降時間: 10 ns
濕度敏感: Yes
產品類型: MOSFET
上升時間: 3.4 ns
原廠包裝數量: 50
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 53 ns
標準開啟延遲時間: 19.4 ns
每件重量: 4.096 g