IPC70N04S54R6ATMA1

IPC70N04S54R6ATMA1

类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Infineon Technologies
系列 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
包装 散装
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.6 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.4V @ 17μA
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 50W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TDSON-8-34
封装/外壳 8-PowerTDFN
漏源电压（Vdss） 40 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 24.2 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1.43 pF @ 25 V