一般说明：GD32F130F8P6TR
GD32F130F8P6TR器件属于 GD32 MCU 系列的价值线。它是一款基于高性能 ARM® Cortex®-M3 RISC 内核的 32 位通用微控制器，具有在处理能力、降低的功耗和外围设备方面的最佳比率。这Cortex®-M3 是下一代处理器内核，它与嵌套向量中断控制器 (NVIC)、SysTick 计时器和高级调试支持。
GD32F130F8P6TR器件集成了 ARM® Cortex®-M3 32 位处理器内核在 48 MHz 频率下，闪存访问零等待状态以获得最大效率。它提供高达 64 KB 的片上闪存和高达 8 KB 的 SRAM 存储器。一个广泛的连接到两条 APB 总线的一系列增强型 I/O 和外围设备。这些设备提供了一个12位ADC，最多五个通用16位定时器，一个通用32位定时器，一个PWM高级定时器，以及标准和高级通信接口：多达两个 SPI、两个 I2C 和两个 USART。该器件采用 2.6 至 3.6 V 电源供电，温度范围为 –40 至 +85 °C温度范围。几种省电模式提供了最大程度的灵活性唤醒延迟和功耗之间的优化，一个特别重要的低功率应用中的考虑。上述特点使GD32F130F8P6TR器件适用于广泛的应用，特别是在工业控制、电机驱动、用户界面、功率监视器和警报系统、消费类和手持设备、游戏和 GPS、电动自行车等。
功能说明：GD32F130F8P6TR
3.1. ARM® Cortex®-M3 内核
Cortex®-M3 处理器是用于嵌入式的最新一代 ARM® 处理器
系统。它的开发目的是提供一个满足 MCU 需求的低成本平台
实施，具有减少的引脚数和低功耗，同时提供
出色的计算性能和对中断的高级系统响应。
32 位 ARM® Cortex®-M3 处理器内核
高达 48 MHz 的工作频率
单周期乘法和硬件除法器
集成嵌套向量中断控制器 (NVIC)
24 位 SysTick 定时器
Cortex®-M3 处理器基于 ARMv7 架构，支持 Thumb
和 Thumb-2 指令集。下面列出的一些系统外围设备也由
Cortex®-M3：
内部总线矩阵连接 ICode 总线、DCode 总线、系统总线、Private
外设总线 (PPB) 和调试访问 (AHB-AP)
嵌套向量中断控制器 (NVIC)
闪存补丁和断点 (FPB)
数据观察点和跟踪（DWT）
仪器跟踪宏单元 (ITM)
串行线 JTAG 调试端口 (SWJ-DP)
跟踪端口接口单元 (TPIU)
3.2.片上存储器
高达 64 KB 的闪存
高达 8 KB 的 SRAM，带硬件奇偶校验
ARM® Cortex®-M3 处理器采用哈佛架构，可使用
单独的总线来获取指令和加载/存储数据。 64 KB 内部闪存和 8
最多 KB 的内部 SRAM 可用于存储程序和数据，都可以访问（R/W）
在 CPU 时钟速度下，零等待状态。表2-2。GD32F130F8P6TR内存映射
显示了GD32F130F8P6TR系列器件的内存映射，包括代码、SRAM、
外围和其他预定义区域。
3.3.时钟、复位和电源管理
内部 8 MHz 工厂微调 RC 和外部 4 至 32 MHz 晶振
内部 40 KHz RC 校准振荡器和外部 32.768 KHz 晶体振荡器
集成系统时钟锁相环
2.6 至 3.6 V 应用电源和 I/O
电源监控器：POR（上电复位）、PDR（掉电复位）和低电压
检测器 (LVD)
时钟控制单元 (CCU) 提供了一系列振荡器和时钟功能。这些
包括高速内部RC振荡器和外部晶体振荡器，高速和低速
两种类型。几个预分频器允许 AHB 和两个 APB 的频率配置
域。 AHB 和两个 APB 域的最大频率为 48 MHz。见图
2-8。GD32F130F8P6TR时钟树了解时钟树的详细信息。
GD32F130F8P6TR复位控制包括对三种复位的控制：电源复位、系统复位
重置和备份域重置。系统重置会重置处理器内核和外设 IP
除 SW-DP 控制器和备份域之外的其他组件。打开
复位 (POR) 和掉电复位 (PDR) 始终处于活动状态，并确保正常运行
从 2.6V 开始，降至 1.8V。当 VDD 低于
指定的阈值。嵌入式低压检测器 (LVD) 监控电源，
将其与电压阈值进行比较并生成中断作为警告消息
带领 MCU 进入安全领域。
供电方案：GD32F130F8P6TR
VDD 范围：2.6 到 3.6 V，I/O 和内部稳压器的外部电源。
通过 VDD 引脚从外部提供。
VSSA、VDDA 范围：2.6 至 3.6 V，ADC 的外部模拟电源、复位模块、
RC 和 PLL。 VDDA 和 VSSA 必须连接到 VDD 和 VSS，具体积极地。
VBAT 范围：1.8 至 3.6 V，RTC 电源，外部时钟 32 KHz 振荡器和
当 VDD 不存在时备份寄存器（通过电源开关）。
3.4. 启动模式
启动时，引导引脚用于选择三个引导选项之一：
从主闪存启动（默认）
从系统内存启动
从片上 SRAM 启动
默认情况下，选择从主闪存引导。 引导加载程序位于
内部引导 ROM 存储器（系统存储器）。 它用于重新编程闪存
通过使用 USART0（PA9 和 PA10）或 USART1（PA2 和 PA3、PA14 和 PA15）。
详细参数：GD32F130F8P6TR
参数名称 参数值
生命周期联系制造商
IHS 制造商 GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC
订货包装代码 TSSOP20
包装说明 TSSOP-20
达到合规代码未知
风险等级 5.82
最大速度 (MHz) 48
内存（字节） 闪存 64K
内存（字节） SRAM 8K
I/O 高达 15
定时器 GPTM（32 位）1
定时器 GPTM (16bit) 4
定时器高级 TM (16bit) 1
Timer Basic TM (16bit)
定时器 SysTick (24 位) 1
定时器 WDG 2
定时器 RTC 1
连通性 USART 2
连接 I2C 2
连接 SPI 2
连接 USB 2 FS
连接 I2S
连通性比较
连接运算放大器
模拟接口 12 位 ADC 单元 (CH) 1(9)
模拟接口 12 位 DAC 单元
封装 TSSOP20
以下物料均有现货库存：GD32F130F8P6TR
GD32F103RCT6
GD32F103CBT6
GD32F107RCT6
GD32F103C8T6
GD32F130C8T6
GD32F130F8P6TR
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