一般说明：GD32F350G6U6TR
GD32F350G6U6TR 器件属于 GD32 MCU 系列的价值线。这是一个新的 32 位基于ARM® Cortex®-M4 RISC内核的通用微控制器，在增强处理能力、降低功耗方面具有最佳性价比和外围设备。 Cortex®-M4 内核功能实现了一套完整的 DSP 指令以满足需要高效、易于使用的控制组合的数字信号控制市场和信号处理能力。它还提供了强大的跟踪技术以增强应用程序安全性和高级调试支持。
GD32F350G6U6TR 器件集成了 ARM® Cortex®-M4 32 位处理器内核，运行在 108 MHz 频率下，闪存访问零等待状态以获得最大效率。它提供高达 128 KB 的片上闪存和高达 16 KB 的 SRAM 存储器。一个广泛的连接到两条 APB 总线的一系列增强型 I/O 和外围设备。这些设备提供了一个12 位 ADC，一个 12 位 DAC 和两个比较器，最多五个通用 16 位定时器，一个通用32 位定时器，一个基本定时器，一个 PWM 高级定时器，以及标准和高级定时通信接口：最多两个 SPI、两个 I2C、两个 USART、一个 I2S、一个 HDMI-CEC、一个TSI 和 USBFS。该器件采用 2.6 至 3.6 V 电源供电，温度范围为 –40 至 +85 °C温度范围。几种省电模式提供了最大程度的灵活性唤醒延迟和功耗之间的优化，一个特别重要的低功率应用中的考虑。上述特点使 GD32F350G6U6TR 器件适用于广泛的应用，特别是在工业控制、电机驱动、用户界面、功率监视器和警报系统、消费类和手持设备、游戏和 GPS、电动自行车等
功能说明：GD32F350G6U6TR
3.1 ARM® Cortex®-M4 内核
ARM® Cortex®-M4 处理器是具有 DSP 的高性能嵌入式处理器
允许有效信号处理和复杂算法执行的指令。带来
一种高效、易于使用的控制和信号处理能力的结合，以满足数字
信号控制市场需求。处理器是高度可配置的，可实现广泛的
从那些需要内存保护和强大的跟踪技术的实现到
需要最小面积的成本敏感设备，同时提供出色的计算能力
性能和对中断的高级系统响应。
32 位 ARM® Cortex®-M4 处理器内核
高达 108 MHz 的工作频率
单周期乘法和硬件除法器
浮点单元 (FPU)
集成DSP指令
集成嵌套向量中断控制器 (NVIC)
24 位 SysTick 定时器
Cortex®-M4 处理器基于 ARMv7-M 架构，支持 Thumb
和 Thumb-2 指令集。下面列出的一些系统外围设备也由
Cortex®-M4：GD32F350G6U6TR
内部总线矩阵连接 ICode 总线、DCode 总线、系统总线、Private
外设总线 (PPB) 和调试访问 (AHB-AP)
嵌套向量中断控制器 (NVIC)
闪存补丁和断点 (FPB)
数据观察点和跟踪（DWT）
仪器跟踪宏单元 (ITM)
串行线 JTAG 调试端口 (SWJ-DP)
跟踪端口接口单元 (TPIU)
3.2 片上存储器：GD32F350G6U6TR
高达 128 KB 的闪存
高达 16 KB 的 SRAM，带硬件奇偶校验
ARM® Cortex®-M4 处理器采用哈佛架构，可使用
单独的总线来获取指令和加载/存储数据。 128 KB 内部闪存和 16
最多 KB 的内部 SRAM 可用于存储程序和数据，都可以访问（R/W）
在 CPU 时钟速度下，零等待状态。表 2-2。 GD32F350G6U6TR 内存映射显示
GD32F350G6U6TR 系列器件的内存映射，包括代码、SRAM、外设和
其他预定义区域。
3.3 时钟、复位和电源管理
内部 8 MHz 工厂微调 RC 和外部 4 至 32 MHz 晶振
内部 48 MHz RC 振荡器
内部 28 MHz RC 振荡器
内部 40 KHz RC 校准振荡器和外部 32.768 KHz 晶体振荡器
集成系统时钟锁相环
2.6 至 3.6 V 应用电源和 I/O
电源监控器：POR（上电复位）、PDR（掉电复位）和低电压
检测器 (LVD)
时钟控制单元 (CCU) 提供了一系列振荡器和时钟功能。这些
包括高速内部RC振荡器和外部晶体振荡器，高速和低速
两种类型。几个预分频器允许 AHB 和两个 APB 的频率配置
域。 AHB、APB2 和 APB1 域的最大频率为 108 MHz/54
兆赫/54兆赫。参见图 2-6。 GD32F350G6U6TR 时钟树，了解时钟树的详细信息。
复位控制单元 (RCU) 控制三种复位： 系统复位 复位处理器
核心和外围 IP 组件。上电复位 (POR) 和掉电复位 (PDR)
始终处于活动状态，并确保从 2.6V 开始到 1.8V 正常运行。装置
当 VDD i 时保持在复位模式s 低于指定的阈值。嵌入式低压
检测器 (LVD) 监控电源，将其与电压阈值进行比较并生成
中断作为引导 MCU 进入安全状态的警告消息。
供电方案：GD32F350G6U6TR
VDD 范围：2.6 到 3.6 V，I/O 和内部稳压器的外部电源。
通过 VDD 引脚从外部提供。
VSSA、VDDA 范围：2.6 至 3.6 V，ADC 的外部模拟电源、复位模块、
RC 和 PLL。
VBAT 范围：1.8 至 3.6 V，RTC 电源，外部时钟 32 KHz 振荡器和
当 VDD 不存在时备份寄存器（通过电源开关）。
3.4 启动模式：GD32F350G6U6TR
启动时，引导引脚用于选择三个引导选项之一：
从主闪存启动（默认）
从系统内存启动
从片上 SRAM 启动
默认情况下，选择从主闪存引导。引导加载程序位于
内部引导 ROM 存储器（系统存储器）。它用于重新编程闪存
通过使用 USART0（PA9 和 PA10）或 USART1（PA14 和 PA15）。
3.5 省电模式
MCU支持三种省电模式，实现更低的功耗
消费。它们是睡眠模式、深度睡眠模式和待机模式。这些操作
模式降低功耗并使应用程序达到最佳平衡
CPU 运行时间、速度和功耗之间的关系。
睡眠模式：GD32F350G6U6TR
在睡眠模式下，只有 CPU 内核的时钟是关闭的。所有外围设备继续运行并且
任何中断/事件都可以唤醒系统。
深度睡眠模式
在深度睡眠模式下，1.2V 域中的所有时钟都关闭，所有高速
晶体振荡器（IRC8M、HXTAL）和 PLL 被禁用。只有 SRAM 的内容和
寄存器被保留。来自 EXTI 线路的任何中断或唤醒事件都可以唤醒
系统从深度睡眠模式包括 16 条外线、RTC 报警、RTC
篡改和时间戳、CMP0/CMP1 输出、LVD 输出、USART 唤醒、CEC 唤醒
和 USB 唤醒。退出深度睡眠模式时，选择 IRC8M 作为
系统时钟。
待机模式：GD32F350G6U6TR
在待机模式下，整个 1.2V 域断电，LDO 关闭，所有的
IRC8M、HXTAL 和 PLL 被禁用。 SRAM 和寄存器的内容（除了
备份寄存器）丢失。待机模式有四个唤醒源，
包括来自 NRST 引脚的外部复位、RTC 警报、FWDGT 复位和
WKUP 引脚上的上升沿。
3.6 模数转换器（ADC）：GD32F350G6U6TR
12 位 SAR ADC 转换速率高达 2.86 MSPS
12 位、10 位、8 位或 6 位可配置分辨率
硬件过采样率从 2 到 256x 可调，将分辨率提高到 16 位
输入电压范围：VSSA 至 VDDA（2.6 至 3.6 V）
温度传感器
该器件集成了一个 12 位 2.86 MSPS 多通道 ADC。它共有 19 个
复用通道：16个外部通道，1个内部温度传感器通道
(VSENSE), 1 通道用于内部参考电压 (VREFINT) 和 1 通道用于电池电压
(VBAT)。输入电压范围介于 VSSA 和 VDDA 之间。片上硬件过采样
方案提高了性能，同时减轻了相关的计算负担
中央处理器。模拟看门狗模块可用于检测通道，这些通道需要
保持在特定的阈值窗口内。一个可配置的通道管理块可以是
用于在单一、连续、扫描或不连续模式下执行转换以支持
更高级的使用。
ADC 可由通用 0 级定时器 (TIMERx) 生成的事件触发
和具有内部连接的高级定时器（TIMER0）。温度传感器可以
用于产生随温度线性变化的电压。它在内部连接到
ADC_IN16 输入通道，用于将传感器输出电压转换为数字
价值。
详细参数：GD32F350G6U6TR
参数名称 参数值
生命周期联系制造商
IHS 制造商 GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC
订货包装代码 QFN28
包装说明 QFN-28
达到合规代码未知
风险等级 5.83
最大速度 (MHz) 108
内存（字节） Flash 32K
内存（字节） SRAM 6K
I/O 高达 24
定时器 GPTM（32 位）1
定时器 GPTM (16 位) 5
定时器高级 TM (16bit) 1
定时器基本 TM (16bit) 1
定时器 SysTick (24 位) 1
定时器 WDG 2
定时器 RTC 1
连通性 USART 2
连接 I2C 1
连接 SPI 1
连接 USB 2 FS OTG
连接 I2S 1
连通性 Comp 2
连接运算放大器
模拟接口 12 位 ADC 单元 (CH) 1(10)
模拟接口 12 位 DAC 单元 1
封装 QFN28
以下物料均有现货库存：GD32F350G6U6TR
GD32F103RCT6
GD32F103CBT6
GD32F107RCT6
GD32F103C8T6
GD32F130C8T6
GD32F130F8P6TR
GD32F150C8T6
GD32F150G8U6
GD32F103VBT6
GD32F103RBT6
GD32F103TBU6
GD32F103VCT6
GD32F103VGT6
GD32F103VET6
GD32F103RET6
GD32F105VCT6
GD32F105RCT6
GD32F107VCT6
GD32F303VET6
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GD32F305VCT6
GD32F330C8T6
GD32F330CBT6
GD32F350G6U6TR
GD32F303CCT6
GD32F303RGT6
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