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GD32F303RCT6

发布时间:2021/6/24 16:08:00 访问次数:90发布企业:西旗科技(深圳)有限公司



一般说明:GD32F303RCT6
GD32F303RCT6器件属于 GD32 MCU 系列的主流产品线。这是一个新的基于 ARM® Cortex®-M4 RISC 内核的 32 位通用微控制器,具有最佳性能在增强处理能力、降低功耗方面的性价比消费和外设。 Cortex®-M4 内核特性实现了全套 DSP针对需要高效、易于使用的数字信号控制市场的说明控制和信号处理能力的结合。它还提供了一个内存保护单元(MPU) 和强大的跟踪技术,用于增强应用程序安全性和高级调试
支持。
GD32F303RCT6器件集成了 ARM® Cortex®-M4 32 位处理器内核在 120 MHz 频率下,闪存访问零等待状态以获得最大效率。它提供高达 3072 KB 的片上 Flash 存储器和 96 KB SRAM 存储器。范围广泛连接到两条 APB 总线的增强型 I/O 和外围设备。这些设备最多提供三个12 位 2.6 MSPS ADC,两个 12 位 DAC,最多十个通用 16 位定时器,两个 16 位 PWM高级计时器和两个 16 位基本计时器,以及标准和高级通信接口:多达三个 SPI、两个 I2C、三个 USART 和两个 UART、两个
I2S、USBD、CAN 和 SDIO。该器件采用 2.6 至 3.6 V 电源供电,可在 (–20 至 +85 °C) / (–40至 +85 °C) /(–40 至 +105 °C)温度范围。多种省电模式提供唤醒延迟和功耗之间最大优化的灵活性,一个在低功率应用中尤其重要。上述特点使GD32F303RCT6器件适用于广泛的互连和高级应用,特别是在工业控制、电机驱动、消费和手持设备、人机界面、安全和警报系统,POS、汽车导航、物联网等。


功能说明:GD32F303RCT6
3.1. ARM® Cortex®-M4 内核
ARM® Cortex®-M4 处理器是具有 DSP 的高性能嵌入式处理器允许有效信号处理和复杂算法执行的指令。带来一种高效、易于使用的控制和信号处理能力的结合,以满足数字信号控制市场需求。处理器是高度可配置的,可实现广泛的
那些需要浮点运算、内存保护和强大的跟踪技术可降低需要最小面积的敏感设备,同时提供出色的计算性能和对中断的高级系统响应。
32 位 ARM® Cortex®-M4 处理器内核
 高达 120 MHz 的工作频率
 单周期乘法和硬件除法器
 集成DSP指令
 集成嵌套向量中断控制器 (NVIC)
 24 位 SysTick 定时器
Cortex®-M4 处理器基于 ARMv7-M 架构,支持 Thumb
和 Thumb-2 指令集。下面列出的一些系统外围设备也由
Cortex®-M4:GD32F303RCT6
 内部总线矩阵连接 ICode 总线、DCode 总线、系统总线、Private
外设总线 (PPB) 和调试访问 (AHB-AP)
 嵌套向量中断控制器 (NVIC)
 闪存补丁和断点 (FPB)
 数据观察点和跟踪(DWT)
 仪器跟踪宏单元 (ITM)
 内存保护单元(MPU)
 串行线 JTAG 调试端口 (SWJ-DP)
 跟踪端口接口单元 (TPIU)
 浮点单元 (FPU)
3.2.片上存储器:GD32F303RCT6
 高达 3072 KB 的 Flash 存储器,包括代码 Flash 和数据 Flash
 高达 96 KB 的 SRAM
ARM® Cortex®-M4 处理器采用哈佛架构,可使用
单独的总线来获取指令和加载/存储数据。最多 3072 KB 的内部闪存,
其中包括可用于存储程序和数据的代码闪存,并被访问(R/W)
在 CPU 时钟速度下,零等待状态。还包括一个额外的数据闪存用于存储数据
主要是。表 2-3。GD32F303RCT6内存映射显示GD32F303VET6的内存
3.3.时钟、复位和电源管理:GD32F303RCT6
 内部 8 MHz 工厂微调 RC 和外部 4 至 32 MHz 晶振
 内部 48 MHz RC 振荡器
 内部 40 kHz RC 校准振荡器和外部 32.768 kHz 晶体振荡器
 2.6 至 3.6 V 应用电源和 I/O
 电源监控器:POR(上电复位)、PDR(掉电复位)和低电压
检测器 (LVD)
时钟控制单元 (CCU) 提供了一系列振荡器和时钟功能。这些
包括内部RC振荡器和外部晶体振荡器,高速和低速两种
类型。几个预分频器允许 AHB 和两个 APB 域的频率配置。
两个 AHB 域的最大频率为 120 MHz。
包括 APB1 在内的两个 APB 域为 60 MHz,APB2 为 120 MHz,见图 2-6。
GD32F303RCT6时钟树,了解时钟树的详细信息。
复位控制单元 (RCU) 控制三种复位: 系统复位 复位处理器
核心和外围 IP 组件。上电复位(POR) 和掉电复位 (PDR) 是
始终处于活动状态,并确保从/降至 2.6 V 开始正常运行。设备保持
当 VDD 低于指定阈值时处于复位模式。嵌入式低压检测器
(LVD) 监控电源,将其与电压阈值进行比较并生成一个
中断作为引导 MCU 进入安全状态的警告消息。
供电方案:GD32F303RCT6
 VDD 范围:2.6 到 3.6 V,I/O 和内部稳压器的外部电源。
通过 VDD 引脚从外部提供。
 VSSA、VDDA 范围:2.6 至 3.6 V,ADC 的外部模拟电源、复位模块、
RC 和 PLL。 VDDA 和 VSSA 必须分别连接到 VDD 和 VSS。
 VBAT 范围:1.8 至 3.6 V,RTC 电源,外部时钟 32 kHz 振荡器和
当 VDD 不存在时备份寄存器(通过电源开关)。
3.4.启动模式:GD32F303RCT6
启动时,引导引脚用于选择三个引导选项之一:
 从主闪存启动(默认)
 从系统内存启动
 从片上 SRAM 启动
引导加载程序位于内部引导 ROM 存储器(系统存储器)中。它用于
使用 USART0(PA9 和 PA10)重新编程闪存,如果设备是
GD32F303C/GD32F303RCT6/GD32F303VCT6/ZG 或 GD32F303RCT6/V/ZI 或GD32F303VCT6/ZK,USART1(PA2 和 PA3)是
也可用于引导功能。它还可以用于传输和更新闪存
代码、数据和向量表部分。默认情况下,从 Flash 的 bank0 启动
内存被选中。它还支持通过设置一个位从闪存的 bank1 启动
选项字节。
3.5.省电模式:GD32F303RCT6
MCU支持三种省电模式,实现更低的功耗
消费。它们是睡眠模式、深度睡眠模式和待机模式。这些操作
模式降低功耗并使应用程序达到最佳平衡
CPU 运行时间、速度和功耗之间的关系。
 睡眠模式
在睡眠模式下,只有 CPU 内核的时钟是关闭的。所有外围设备继续运行并且
任何中断/事件都可以唤醒系统。
 深度睡眠模式
在深度睡眠模式下,1.2 V 域中的所有时钟都关闭,所有高速
晶体振荡器(IRC8M、HXTAL)和 PLL 被禁用。只有 SRAM 的内容和
寄存器被保留。来自 EXTI 线路的任何中断或唤醒事件都可以唤醒
系统从深度睡眠模式包括 16 条外线、RTC 报警、
LVD 输出和 USB 唤醒。当退出深度睡眠模式时,IRC8M 是
选作系统时钟。
 待机模式:GD32F303RCT6
在待机模式下,整个 1.2V 域断电,LDO 关闭,所有的
IRC8M、HXTAL 和 PLL 被禁用。 SRAM 和寄存器的内容(除了
备份寄存器)丢失。待机模式有四个唤醒源,
包括来自 NRST 引脚的外部复位、RTC、FWDG 复位和上升沿
WKUP 引脚上的边缘。
3.6.模数转换器 (ADC):GD32F303RCT6
 12 位 SAR ADC 的转换速率高达 2.6 MSPS
 12 位、10 位、8 位或 6 位可配置分辨率
 硬件过采样率从 2 到 256x 可调,将分辨率提高到 16 位
 输入电压范围:VSSA 至 VDDA(2.6 至 3.6 V)
 温度传感器:GD32F303RCT6
该器件中集成了多达三个 12 位 2.6 MSPS 多通道 ADC。它共有
18个复用通道:16个外部通道,1个内部温度传感器通道
(VSENSE) 和 1 个通道用于内部参考电压 (VREFINT)。输入电压范围为
介于 2.6 V 和 3.6 V 之间。片上硬件过采样方案提高了性能
同时减轻 CPU 的相关计算负担。一个模拟看门狗块
可用于检测需要保持在特定阈值内的通道
窗户。可配置的通道管理块可用于在
单次、连续、扫描或不连续模式以支持更高级的使用。
GD32F303RCT6数据表44
ADC 可由通用 0 级定时器 (TIMERx) 生成的事件触发
以及具有内部连接的高级定时器(TIMER0 和 TIMER7)。气温
传感器可用于产生随温度线性变化的电压。它是内部
连接到ADC_IN16输入通道,用于转换传感器输出电压
在一个数字值。



详细参数:GD32F303RCT6
参数名称 参数值
生命周期联系制造商
IHS 制造商 GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC
订货包装代码 LQFP64
包装说明 LQFP-64
达到合规代码未知
风险等级 5.81
最大速度 (MHz) 120
内存(字节) 闪存 256K
内存(字节) SRAM 48K
I/O 高达 51
定时器 GPTM(32 位)
定时器 GPTM (16bit) 4
定时器高级 TM (16bit) 2
Timer Basic TM (16bit) 2
定时器 SysTick (24 位) 1
定时器 WDG 2
定时器 RTC 1
连通性 USART
连接 I2C 2
连接 SPI 3
连接 USB 2 FS 1
连接 I2S 2
连通性比较
连接运算放大器
模拟接口 12 位 ADC 单元 (CH) 3(16)
模拟接口 12 位 DAC 单元 2
封装 LQFP64

以下物料均有现货库存:GD32F303RCT6
GD32F103RCT6
GD32F103CBT6
GD32F107RCT6
GD32F103C8T6
GD32F130C8T6
GD32F130F8P6TR
GD32F150C8T6
GD32F150G8U6
GD32F103VBT6
GD32F103RBT6
GD32F103TBU6
GD32F103VCT6
GD32F103VGT6
GD32F103VET6
GD32F103RET6
GD32F105VCT6
GD32F105RCT6
GD32F107VCT6
GD32F303VET6
GD32F303RCT6
GD32F305VCT6
GD32F330C8T6
GD32F330CBT6
GD32F350G6U6TR
GD32F303CCT6
GD32F303RGT6
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GD32F303RCT6
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ADM7171ACPZ-2.5-R7

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