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GD32F107VCT6

发布时间:2021/6/24 15:45:00 访问次数:42发布企业:西旗科技(深圳)有限公司



一般说明:GD32F107VCT6
GD32F107VCT6器件属于 GD32 MCU 系列的连接线。它是一个 32 位基于 Arm® Cortex®-M3 RISC 内核的通用微控制器,具有增强连接性能和处理能力方面的最佳比率,降低功耗消费和外设。 Cortex®-M3 是下一代处理器内核与嵌套向量中断控制器 (NVIC)、SysTick 计时器和高级调试支持。
GD32F107VCT6器件包含 Arm® Cortex®-M3 32 位处理器内核在 108 MHz 频率下,闪存访问零等待状态以获得最大效率。它提供高达 1 MB 的片上闪存和 96 KB SRAM 存储器。范围广泛连接到两条 APB 总线的增强型 I/O 和外围设备。这些设备最多提供两个12 位 ADC,最多两个 12 位 DAC,最多四个通用 16 位定时器,两个基本定时器外加一个PWM高级控制定时器,以及标准和高级通讯接口:最多三个 SPI,两个 I2C,三个 USART,两个 UART,两个 I
2S,两个 CAN,一个USBFS 和以太网 MAC。该器件采用 2.6 至 3.6 V 电源供电,温度范围为 –40 至 +85 °C温度范围。几种省电模式提供了最大程度的灵活性唤醒延迟和功耗之间的优化,一个特别重要的低功率应用中的考虑。上述特性使GD32F107VCT6器件适用于广泛的互连应用,特别是在工业控制、电机驱动、电力监控和报警系统、消费类和手持设备、POS、车载 GPS、LED显示屏等


功能说明:GD32F107VCT6
3.1. Arm® Cortex®-M3 内核
Cortex®-M3 处理器是用于嵌入式系统的最新一代 Arm® 处理器。
它的开发目的是提供一个满足 MCU 需求的低成本平台
实施,具有减少的引脚数和低功耗,同时提供
出色的计算性能和对中断的高级系统响应。
 32 位 Arm® Cortex®-M3 处理器内核
 高达 108 MHz 的工作频率
 单周期乘法和硬件除法器
 集成嵌套向量中断控制器 (NVIC)
 24 位 SysTick 定时器
Cortex®-M3 处理器基于 ARMv7 架构,支持 Thumb
和 Thumb-2 指令集。下面列出的一些系统外围设备也由
Cortex®-M3:GD32F107VCT6
 内部总线矩阵连接 ICode 总线、DCode 总线、系统总线、Private
外设总线 (PPB) 和调试访问 (AHB-AP)
 嵌套向量中断控制器 (NVIC)
 闪存补丁和断点 (FPB)
 数据观察点和跟踪(DWT)
 仪器跟踪宏单元 (ITM)
 内存保护单元(MPU)
 串行线 JTAG 调试端口 (SWJ-DP)
 跟踪端口接口单元 (TPIU)
3.2.片上存储器
 高达 1024 KB 的闪存
 96 KB SRAM
Arm® Cortex®-M3 处理器采用哈佛架构,可以使用独立的
总线来获取指令和加载/存储数据。最多 1024 KB 的内部 Flash 和 96
KB 的内部 SRAM 可用于存储程序和数据,两者都在
具有零等待状态的 CPU 时钟速度。表2-3。GD32F107VCT6内存映射显示
GD32F107VCT6系列器件的内存映射,包括代码、SRAM、外设、
和其他预定义区域
3.3.时钟、复位和电源管理
 内部 8 MHz 工厂微调 RC 和外部 3 至 25 MHz 晶振
 内部 40 KHz RC 校准振荡器和外部 32.768 KHz 晶体振荡器
 集成系统时钟锁相环
 2.6 至 3.6 V 应用电源和 I/O
 电源监控器:POR(上电复位)、PDR(掉电复位)和低电压
检测器 (LVD)
时钟控制单元 (CCU) 提供了一系列振荡器和时钟功能。这些
包括高速内部RC振荡器和外部晶体振荡器,高速和低速
两种类型。几个预分频器允许配置 AHB 频率、高速
APB (APB2) 和低速 APB (APB1) 域。 AHB的最大频率
高速 APB 域为 108 MHz。低速 APB 域的最大允许频率为 54 MHz。参见图 2-5。GD32F107VCT6时钟树的详细信息
时钟树。
复位控制单元 (RCU) 控制三种复位: 系统复位 复位处理器
核心和外围 IP 组件。上电复位 (POR) 和掉电复位 (PDR)
始终处于活动状态,并确保从/降至 2.6 V 开始正常运行。设备保持
当 VDD 低于指定阈值时处于复位模式。嵌入式低压检测器
(LVD) 监控电源,将其与电压阈值进行比较并生成一个
中断作为引导 MCU 进入安全状态的警告消息。
供电方案:GD32F107VCT6
 VDD 范围:2.6 到 3.6 V,I/O 和内部稳压器的外部电源。
通过 VDD 引脚从外部提供。
 VSSA、VDDA 范围:2.6 至3.6 V,用于 ADC、复位模块、
RC 和 PLL。 VDDA 和 VSSA 必须分别连接到 VDD 和 VSS。
 VBAT 范围:1.8 至 3.6 V,RTC 电源,外部时钟 32 kHz 振荡器和
当 VDD 不存在时备份寄存器(通过电源开关)。
3.4. 启动模式:GD32F107VCT6
启动时,引导引脚用于选择三个引导选项之一:
 从主闪存启动(默认)
 从系统内存启动
 从片上 SRAM 启动
引导加载程序位于内部引导 ROM 存储器(系统存储器)中。 它用于
使用 USART0(PA9 和 PA10)、USART1(PD5 和 PD6)重新编程闪存,
设备模式下的 USBFS(PA9、PA11 和 PA12)。 它还可以用于传输和更新
闪存代码、数据和向量表部分。 默认情况下,从
选择了 Flash 存储器的 bank 0。 它还支持从闪存的 bank 1 启动


详细参数:GD32F107VCT6
参数名称 参数值
生命周期活跃
订货包装代码 LQFP100
达到合规代码未知
风险等级 5.81
最大速度 (MHz) 108
内存(字节) 闪存 256K
内存(字节) SRAM 96K
输入/输出高达 80
定时器 GPTM(32 位)
定时器 GPTM (16bit) 4
定时器高级 TM (16bit) 1
Timer Basic TM (16bit) 2
定时器 SysTick (24 位) 1
定时器 WDG 2
定时器 RTC 1
连通性 USART
连接 I2C 1
连接 SPI 3
连接 USB 2 FS OTG
连接 I2S 2
连通性比较
连接运算放大器
模拟接口 12 位 ADC 单元 (CH) 2(16)
模拟接口 12 位 DAC 单元 2
封装 LQFP100

以下物料均有现货库存:GD32F107VCT6
GD32F103RCT6
GD32F103CBT6
GD32F107RCT6
GD32F103C8T6
GD32F130C8T6
GD32F130F8P6TR
GD32F150C8T6
GD32F150G8U6
GD32F103VBT6
GD32F103RBT6
GD32F103TBU6
GD32F103VCT6
GD32F103VGT6
GD32F103VET6
GD32F103RET6
GD32F105VCT6
GD32F105RCT6
GD32F107VCT6
GD32F303VET6
GD32F303RCT6
GD32F305VCT6
GD32F330C8T6
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GD32F303RGT6
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GD32F107VCT6
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