一般说明：GD32F105RCT6
GD32F105RCT6器件属于 GD32 MCU 系列的连接线。它是一个 32 位基于 Arm® Cortex®-M3 RISC 内核的通用微控制器，具有增强连接性能和处理能力方面的最佳比率，降低功耗消费和外设。 Cortex®-M3 是下一代处理器内核与嵌套向量中断控制器 (NVIC)、SysTick 计时器和高级调试支持。
GD32F105RCT6器件包含 Arm® Cortex®-M3 32 位处理器内核在 108 MHz 频率下，闪存访问零等待状态以获得最大效率。它
提供高达 1 MB 的片上闪存和高达 96 KB 的 SRAM 存储器。一个广泛的连接到两条 APB 总线的一系列增强型 I/O 和外围设备。设备提供到两个 12 位 ADC，最多两个 12 位 DAC，最多四个通用 16 位定时器，两个基本定时器加一个 PWM 高级控制定时器，以及标准和高级通信接口：最多三个 SPI，两个 I2C，三个 USART，两个 UART，两个 I
2秒，两个 CAN，一个 USBFS。该器件采用 2.6 至 3.6 V 电源供电，温度范围为 –40 至 +85 °C温度范围。几种省电模式提供了最大程度的灵活性唤醒延迟和功耗之间的优化，一个特别重要的低功率应用中的考虑。上述特点使GD32F105RCT6器件适用于广泛的应用，特别是在工业控制、电机驱动、电力监控和报警系统等领域，消费类和手持设备、POS、车载GPS、LED显示屏等。
功能说明：GD32F105RCT6
3.1. Arm® Cortex®-M3 内核
Cortex®-M3 处理器是用于嵌入式系统的最新一代 Arm® 处理器。
它的开发目的是提供一个满足 MCU 需求的低成本平台
实施，具有减少的引脚数和低功耗，同时提供
出色的计算性能和对中断的高级系统响应。
32 位 Arm® Cortex®-M3 处理器内核
高达 108 MHz 的工作频率
单周期乘法和硬件除法器
集成嵌套向量中断控制器 (NVIC)
24 位 SysTick 定时器
Cortex®-M3 处理器基于 ARMv7 架构，支持 Thumb
和 Thumb-2 指令集。下面列出的一些系统外围设备也由
Cortex®-M3：GD32F105RCT6
内部总线矩阵连接 ICode 总线、DCode 总线、系统总线、Private
外设总线 (PPB) 和调试访问 (AHB-AP)
嵌套向量中断控制器 (NVIC)
闪存补丁和断点 (FPB)
数据观察点和跟踪（DWT）
仪器跟踪宏单元 (ITM)
内存保护单元（MPU）
串行线 JTAG 调试端口 (SWJ-DP)
跟踪端口接口单元 (TPIU)
3.2.片上存储器
高达 1024 KB 的闪存
高达 96 KB 的 SRAM
Arm® Cortex®-M3 处理器采用哈佛架构，可以使用独立的
总线来获取指令和加载/存储数据。 1024 KB 内部闪存和 96 KB
内部 SRAM 最多可用于存储程序和数据，均在 CPU 上访问（R/W）
时钟速度为零等待状态。表2-3。GD32F105RCT6内存映射显示
GD32F105RCT6系列器件的内存映射，包括代码、SRAM、外设和
其他预定义区域。
3.3.时钟、复位和电源管理
内部 8 MHz 工厂微调 RC 和外部 4 至 16 MHz 晶振
内部 40 KHz RC 校准振荡器和外部 32.768 KHz 晶体振荡器
集成系统时钟锁相环
2.6 至 3.6 V 应用电源和 I/O
电源监控器：POR（上电复位）、PDR（掉电复位）和低电压
检测器 (LVD)
时钟控制单元 (CCU) 提供了一系列振荡器和时钟功能。这些
包括高速内部RC振荡器和外部晶体振荡器，高速和低速
两种类型。几个预分频器允许配置 AHB 频率、高速
APB (APB2) 和低速 APB (APB1) 域。 AHB的最大频率
高速 APB 域为 108 MHz。低速 APB 域的最大允许频率为 54 MHz。参见图 2-5。GD32F105RCT6时钟树的详细信息
时钟树。
复位控制单元 (RCU) 控制三种复位： 系统复位 复位处理器
核心和外围 IP 组件。上电复位 (POR) 和掉电复位 (PDR)
始终处于活动状态，并确保从/降至 2.6 V 开始正常运行。设备保持
当 VDD 低于指定阈值时处于复位模式。嵌入式低压检测器
(LVD) 监控电源，将其与电压阈值进行比较并生成一个
中断作为引导 MCU 进入安全状态的警告消息。
供电方案：GD32F105RCT6
VDD 范围：2.6 到 3.6 V，I/O 和内部稳压器的外部电源。
通过 VDD 引脚从外部提供。
VSSA、VDDA 范围：2.6 至 3.6 V，外部模拟g ADC 电源、复位块、
RC 和 PLL。 VDDA 和 VSSA 必须分别连接到 VDD 和 VSS。
VBAT 范围：1.8 至 3.6 V，RTC 电源，外部时钟 32kHz 振荡器和
当 VDD 不存在时备份寄存器（通过电源开关）。
3.4. 启动模式：GD32F105VCT6
启动时，引导引脚用于选择三个引导选项之一：
从主闪存启动（默认）
从系统内存启动
从片上 SRAM 启动
引导加载程序位于内部引导 ROM 存储器（系统存储器）中。 它用于
使用 USART0（PA9 和 PA10）、USART1（PD5 和 PD6）重新编程闪存，
设备模式下的 USBFS（PA9、PA11 和 PA12）。 它还可以用于传输和更新
闪存代码、数据和向量表部分。 默认情况下，从
选择了 Flash 存储器的 bank 0。 它还支持从闪存的 bank 1 启动
3.5.省电模式：GD32F105RCT6
MCU支持三种省电模式，实现更低的功耗
消费。它们是睡眠模式、深度睡眠模式和待机模式。这些操作
模式降低功耗并使应用程序达到最佳平衡
CPU 运行时间、速度和功耗之间的关系。
睡眠模式：GD32F105RCT6
在睡眠模式下，只有 CPU 内核的时钟是关闭的。所有外围设备继续运行并且
任何中断/事件都可以唤醒系统。
深度睡眠模式：GD32F105RCT6
在深度睡眠模式下，1.2V 域中的所有时钟都关闭，所有高速
晶体振荡器（IRC8M、HXTAL）和 PLL 被禁用。只有 SRAM 的内容和
寄存器被保留。来自 EXTI 线路的任何中断或唤醒事件都可以唤醒
系统从深度睡眠模式包括 16 条外线、RTC 报警、
LVD 输出和 USB 唤醒。退出深度睡眠模式时，IRC8Mis 选择
作为系统时钟。
待机模式：GD32F105RCT6
在待机模式下，整个 1.2V 域断电，LDO 关闭，所有的
IRC8M、HXTAL 和 PLL 被禁用。 SRAM 和寄存器的内容（除了
备份寄存器）丢失。待机模式有四个唤醒源，
包括来自 NRST 引脚的外部复位、RTC 警报、FWDGT 复位和
WKUP 引脚上的上升沿。
3.6.模数转换器 (ADC)
12 位 SAR ADC 引擎
高达 1 MSPS 的转换率
转换范围：VSSA 至 VDDA（2.6 至 3.6 V）
温度传感器
器件中最多集成了两个 12 位 1 μs 多通道 ADC。每个总共可达
21 个多路复用外部通道。模拟看门狗模块可用于检测
通道，需要保持在特定的阈值窗口内。一个可配置的
模拟输入的通道管理块也可用于在
单一、连续、扫描或不连续模式以支持更高级的用法。
ADC 可由通用定时器产生的事件触发
(TIMERx) 和具有内部连接的高级控制定时器 (TIMER0)。这
温度传感器必须产生随温度线性变化的电压。这
转换范围在 2.6 V < VDDA < 3.6 V 之间。温度传感器在内部
连接到ADC_IN16输入通道，用于转换传感器输出电压
转化为数字值。
为确保 ADC 和 DAC 的高精度，ADC/DAC 独立外部参考
电压应连接到 VREF+/VREF- 引脚。根据封装的不同，VREF+
引脚可以连接到 VDDA 引脚，或外部参考电压，VREF- 引脚必须连接
到 VSSA 引脚。 VREF+ 引脚仅适用于不少于 100 引脚的封装。在小于
100 引脚封装，VREF+ 引脚不可用，它在内部连接到 VDDA。这
VREF- 引脚在内部连接到 VSSA
详细参数：GD32F105RCT6
参数名称 参数值
生命周期联系制造商
IHS 制造商 GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC
订货包装代码 LQFP64
包装说明 LQFP-64
达到合规代码未知
风险等级 5.81
最大速度 (MHz) 108
内存（字节） 闪存 256K
内存（字节） SRAM 96K
I/O 高达 51
定时器 GPTM（32 位）
定时器 GPTM (16bit) 4
定时器高级 TM (16bit) 1
Timer Basic TM (16bit) 2
定时器 SysTick (24 位) 1
定时器 WDG 2
定时器 RTC 1
连通性 USART
连接 I2C 2
连接 SPI 3
连接 USB 2 FS OTG
连接 I2S 2
连通性比较
连接运算放大器
模拟接口 12 位 ADC 单元 (CH) 2(16)
模拟接口 12 位 DAC 单元 2
封装 LQFP64
以下物料均有现货库存：GD32F105RCT6
GD32F103RCT6
GD32F103CBT6
GD32F107RCT6
GD32F103C8T6
GD32F130C8T6
GD32F130F8P6TR
GD32F150C8T6
GD32F150G8U6
GD32F103VBT6
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GD32F103VCT6
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GD32F103RET6
GD32F105VCT6
GD32F105RCT6
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GD32F303VET6
GD32F303RCT6
GD32F305VCT6
GD32F330C8T6
GD32F330CBT6
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GD32F303CCT6
GD32F303RGT6
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