STB24N60DM2

製造商: STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
Id - C連續漏極電流: 18 A
Rds On - 漏-源電阻: 200 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4 V
Qg - 閘極充電: 29 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 150 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: FDmesh
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: STB24N60DM2
品牌: STMicroelectronics
下降時間: 15 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 8.7 ns
原廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 60 ns
標準開啟延遲時間: 15 ns
每件重量: 4 g