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NST847BDP6T5G

发布时间:2021/6/11 9:24:00 访问次数:113 发布企业:深圳市科雨电子有限公司

NST847BDP6T5G



製造商: ON Semiconductor
產品類型: 雙極結晶體管 - BJT
RoHS: 詳細資料
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SOT-963-6
晶體管極性: NPN
配置: Dual
集電極-發射極最大電壓VCEO: 45 V
集電極-基極電壓VCBO: 50 V
發射機-基極電壓VEBO: 6 V
集電極最大直流電流: 0.1 A
Pd - 功率消耗 : 420 mW
增益帶寬積 fT: 100 MHz
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
系列: NST847BDP6
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
直流電最大增益hFE: 200 at 2 mA, 5 V
高度: 0.37 mm
長度: 1 mm
技術: Si
寬度: 0.8 mm
品牌: ON Semiconductor
直流集電極/增益 hfe 最小值: 200 at 2 mA, 5 V
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
原廠包裝數量: 8000
子類別: Transistors
每件重量: 1.190 mg

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