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CSD86350Q5D

发布时间:2021/6/10 9:44:00 访问次数:52发布企业:深圳市科雨电子有限公司

CSD86350Q5D

製造商: Texas Instruments
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 25 V
Id - C連續漏極電流: 40 A
Rds On - 漏-源電阻: 5 mOhms, 1.1 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 900 mV
Qg - 閘極充電: 10.7 nC, 25 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 13 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: NexFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.5 mm
長度: 6 mm
系列: CSD86350Q5D
晶體管類型: 2 N-Channel
類型: Synchronous Buck MOSFET Driver
寬度: 5 mm
品牌: Texas Instruments
互導 - 最小值: 103 S, 132 S
開發套件: CSD86350Q5DEVM-604, TPS53219EVM-690
下降時間: 2.3 ns, 21 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 21 ns, 23 ns
原廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 9 ns, 24 ns
標準開啟延遲時間: 8 ns, 9 ns
每件重量: 170 mg

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