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CSD19538Q2

发布时间:2021/6/10 9:41:00 访问次数:54发布企业:深圳市科雨电子有限公司

CSD19538Q2製造商: Texas Instruments
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: WSON-FET-6
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續漏極電流: 14.4 A
Rds On - 漏-源電阻: 59 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.8 V
Qg - 閘極充電: 5.6 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 20.2 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: NexFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 0.75 mm
長度: 2 mm
系列: CSD19538Q2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 2 mm
品牌: Texas Instruments
互導 - 最小值: 19 S
下降時間: 2 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 3 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 7 ns
標準開啟延遲時間: 5 ns
每件重量: 6 mg

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