规格
产品属性属性值搜索类似制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 2.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 185 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 19 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.8 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.6 mm
长度: 6.5 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.5 mm
商标: Infineon / IR
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
单位重量: 112 mg
经营理念
我们秉承扎根中国的承诺，致力于和政府及科研机构携手开发行业标准，支持中国集成电路产业增强竞争力。我们与国内领先高校合作建立实验室，进行汽车电子、智能卡等方面的研发合作，现在进行的项目有上海同济大学汽车电子实验室、天津大学内燃机实验室等等。我们每年拨出专款，在复旦大学、西安电子科技大学、同济大学等众多领先高校设立奖学金，培养优秀的技术和管理人才，并为其提供施展才华的广阔空间。
作为优秀的企业公民，英飞凌致力于回馈社会，协助中国实现可持续发展。我们积极开展资助贫困儿童入学的活动，一方面号召英飞凌在国内的员工捐款捐物，帮助贫困地区的儿童返回校园;另一方面派员工到贫困地区提供义务教学，为中国基础教育的发展做出贡献!
成就地位
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中国在英飞凌的全球战略中具有举足轻重的地位，我们在过去的发展历程中，见证了中国改革开放取得的巨大成就。放眼未来，我们愿与中国在核心层面进行密切合作，与快速成长的中国集成电路产业共同发展，与中国共创辉煌!
