描述：CSD88537ND
这款双SO-8、60 V，12.5mΩNexFET™功率MOSFET设计用作低电流电机控制应用中的半桥。
产品特性：CSD88537ND
超低Qg和Qgd
雪崩等级
无铅
符合RoHS
无卤素
制造商:CSD88537ND
Texas Instruments
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOIC-8
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
60 V
Id-连续漏极电流:
16 A
Rds On-漏源导通电阻:
15 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
2.6 V
Qg-栅极电荷:
14 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
2.1 W
通道模式:
Enhancement
商标名:
NexFET
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Dual
高度:
1.75 mm
长度:
4.9 mm
系列:
CSD88537ND
晶体管类型:
2 N-Channel
宽度:
3.9 mm
商标:
Texas Instruments
下降时间:
19 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
15 ns
工厂包装数量:
2500
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
5 ns
典型接通延迟时间:
6 ns
单位重量:
89.100 mg
