IRFB3207PBF，原装正品，热销现货。
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 260nC @ 10V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 50V
Pd-功率耗散(Max) 330W(Tc)
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 260nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 50V
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@75A,10V
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 75V
连续漏极电流Id 170A
封装/外壳 TO-220AB
本公司热销现货
IRFB3207PBF
ACS710KLATR-6BB-T
LPC1788FBD208
FGA40N66SMD
STM32F103C8T6
EXC14CT900U
DSPIC30F4011-30I/PT
IKW75N60H3/PG
UJA1168ATK/0Z
IKW50N65EH5
AT24C08C-SSHM-T
TPS82693SIPR
TLV7113318DDSER
PCM1754DBQR
HC89S003F4
TLV73318PDQNR
TLV73333PDBVR
LSF0102DQER
TXS0102DQER
PCM1754DBQR
