NTJS4405NT1G正品原装进口现货
NTJS4405NT1G封装：SOT-363
NTJS4405NT1G批号：20+
NTJS4405NT1G品牌：ON/安森美
以下为公司现货库存，欢迎来电咨询！
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制造商:
ON Semiconductor
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SC-88-6
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
25 V
Id-连续漏极电流:
1.2 A
Rds On-漏源导通电阻:
299 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
650 mV
Qg-栅极电荷:
1.5 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
630 mW
通道模式:
Enhancement
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
0.9 mm
长度:
2 mm
产品:
MOSFET Small Signal
系列:
NTJS4405N
晶体管类型:
1 N-Channel
类型:
MOSFET
宽度:
1.25 mm
商标:
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值:
0.5 S
下降时间:
4.7 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
4.7 ns
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
25 ns
典型接通延迟时间:
6 ns
单位重量:
6.200 mg
5G是半导体业的新前景，台积电抓住机会
来源：芯科技作者：时间：2019-05-24 14:56
5G半导体
晶圆代工厂台积电今(23)日举行2019技术论坛，总裁魏哲家亲自出席开幕演讲，内容聚焦台积电产业定位及与客户在先进制程的创新突破。他提到，5G是半导体业产业的新前景、新机会，台积电一定会抓住，并指出，台积电今年资本支出保持不变，要以技术、制造及信任取得客户成功。
魏哲家于演讲时首先说，5G时代来临，加上AI的影响，信息量十分庞大，而搜集大量信息后分析，并做出最佳判断才是做5G的核心意义。他强调，“5G内一定有半导体存在，是半导体业一个非常好的机会，而台积电一定会抓住，帮助客户在5G顺利发展”。
他还说，过去做科技发展时，功耗、性能不可兼得，但今时今日已大不相同，每天必须搜集、分析各种信息，而部分设备是需要整天开启的，未来的趋势是低功耗、高性能需同时并存。
先进制程方面，台积电7纳米在去年量产，魏哲家表示，目前市面上7纳米都是台积电制造，导入EUV的7纳米加强版也已完成，良率与7纳米相同;5纳米进入试产，预计明年第1季量产，预期许多客户将从7纳米转入5纳米。至于6纳米，代理发言人孙又文补充说，6纳米IP与7纳米完全兼容，但性能更优化，预计明年第1季量产，未来主要提供给客户的二线产品使用。
台积电今年资本支出维持100-110亿美元，魏哲家说，过去从28纳米到16纳米、7纳米，未来5纳米一定会持续开发，而台积电也将持续投资台湾，目前台南18厂开始进设备，他还透露，3纳米也已经找好土地，正等待环评通过。2厂及5厂厂长简正忠补充指出，今年总产能将扩增至1200万片约当12寸晶圆，预估微幅增加2%，其中，以7纳米产能增加最多，总产能将超过100万片规模，增加近1.5倍。
