描述：RT8231AGQW
RT8231A / B集成了一个同步Buck架构的PWM控制器，一个具有1.5A电流吐纳能力的追踪型线性稳压器和有缓冲的低噪声参考源，可为DDR2 / DDR3 / DDR3L / LPDDR3 / DDR4 / LPDDR4内存系统提供完整的电源供应。PWM控制器具有低电流消耗，高效率，卓越的瞬态响应和高输出精度等特性，可用于笔记本电脑将电池高压转换为低压为内存系统供电。该控制器采用固定导通时间的PWM控制。架构，可以在极宽VIN / VOUT比的情况下工作，使用方便，面对负载瞬变时具有快达100ns的“实时”响应能力，同时保持基本固定的工作频率。
由于省略了传统的电流模式PWM控制器中常见的电流检测电阻，RT8231A / B在降低了成本的情况下，还能获得更高的效率。通过具有驱动大型同步整流MOSFET的开关能力，转换效率。也得到了进一步提高，从而该转换器可以极高的效率直接从电池取电为系统供电。
具有1.5A电流吐纳能力的低压差线性稳压器具有快速的瞬态响应能力，只需使用10μF的陶瓷输出电容即可保持稳定工作。它还可以使用外来的电源输入，从而可以最大化地降低总的功率损耗。
RT8231A / B支持所有的睡眠状态控制方法，可在S3期间将VTT置于高阻态，在S4 / S5期间对VDDQ，VTT和VTTREF进行放电操作（软关机）
。RT8231A/ B具有OVP，UVP和热关机等保护特性，其封装为WQFN-20L 3x3。
应用：RT8231AGQW
DDR2 / DDR3 / DDR3L / LPDDR3 / DDR4 / LPDDR4内存电源
笔记本电脑
SSTL18，SSTL15和HSTL总线终端
关键特性：RT8231AGQW
PWM控制器
►下桥R DS（ON）检测方式的可调电流限制
►低静态电流消耗
►100ns快速瞬态响应能力
►全输入，负载范围内1％V VDDQ电压
精度►0.675V〜3.3V可调输出范围，可以考虑1.8V（DDR2），1.5V（DDR3），1.35V（DDR3L），1.2V（LPDDR3），1.2V（DDR4）和1.1V（LPDDR4）
►输入电压范围：4.5V〜26V
►工作频率由电阻调节
►过压/欠压保护
►内置软启动
►可驱动大型同步整流MOSFET►
电源良好指示
1.5A LDO（VTT），带缓冲的参考源（VTTREF）
►高达1.5A电流吐纳能力►LDO
输入最低，优化功率损耗
►仅需10μF陶瓷输出电容
►集成分压器使VTT和VTTREF追踪1/2
VDDQ►VTTREF和VTT的精度：±
20mV►支持S3的高阻状态和S4 / S5的软关机操作
符合RoHS规范，不含卤素
