框图说明：MX29GL128FHT2I-70G
框图说明了该设备的简化架构。框图中的每个方框代表实际芯片中的一个或多个电路模块，用于访问，擦除，编程和读取存储器阵列。
“ CONTROL INPUT LOGIC”块接收输入引脚CE＃，OE＃，WE＃，RESET＃，BYTE＃和WP＃/ ACC。
它根据输入引脚创建内部时序控制信号，并将其输出到“ ADDRESS LATCH AND
BUFFER”以锁存外部地址引脚A0-AM（A22）。内部地址从该块输出到
主要阵列和解码器由“ X-DECODER”，“ Y-DECODER”，“ Y-PASS GATE”和“ FLASH ARRAY”组成。 X-DECODER解码闪存阵列的字线，而Y-DECODER解码位线
闪存阵列。位线通过Y-PASS GATES有选择地电连接到“ SENSE AMPLIFIER”和“ PGM DATA HV”。 SENSE AMPLIFIERS用于读取闪存的内容，而“ PGM DATA HV”块用于在编程过程中有选择地向位线传输高功率。的
“ I / O BUFFER”控制Q0-Q15 / A-1焊盘上的输入和输出。在读取操作期间，I / O缓冲区
从SENSE AMPLIFIERS接收数据并相应地驱动输出焊盘。在程序的最后一个周期
命令，I / O BUFFER将Q0-Q15 / A-1上的数据传输到“ PROGRAM DATA LATCH”，该程序控制
“ PGM DATA HV”中的高功率驱动器根据用户输入模式有选择地对字或字节中的位进行编程。
“ PROGRAM / ERASE HIGH VOLTAGE”（程序/擦除高压）块包含用于生成和交付必要的电路
X-DECODER，FLASH ARRAY和“ PGM DATA HV”模块具有高电压。逻辑控制模块包括“ WRITE STATE MACHINE，WSM”，“ STATE REGISTER”，“ COMMAND DATA DECODER”和
“命令数据锁存”。当用户通过切换WE＃发出命令时，该命令在Q0-Q15 / A-1上
被锁在命令数据锁存器中，并由命令数据解码器解码。州
注册接收命令并记录设备的当前状态。 WSM通过控制当前命令状态中的每个块，实现用于编程或擦除的内部算法。
框图。
特征：MX29GL128FHT2I-70G
一般特征
•电源操作
-2.7至3.6伏，用于读取，擦除和编程操作
-MX29GL128F H / L：VI / O = VCC = 2.7V〜3.6V，VI / O电压必须通过VCC紧固
-MX29GL128F U / D：VI / O = 1.65V〜3.6V用于输入/输出
•字节/字模式可切换
-16,777,216 x 8 / 8,388,608 x 16
•64KW / 128KB统一扇区架构
-128个相等扇区
•16字节/ 8字页面读取缓冲区
•64字节/ 32字写缓冲区
•额外的128字扇区以确保安全
-具有工厂锁定和可识别以及客户锁定的功能
•先进的扇区保护功能（固态和密码保护）
•从-1V到1.5xVcc的锁存保护到100mA
•低Vcc写禁止：Vcc≤VLKO
•兼容JEDEC标准
-引脚和软件兼容单电源闪存
•深度掉电模式
性能：MX29GL128FHT2I-70G
•高性能
-快速访问时间：
-MX29GL128F H / L：70 / 90ns（VCC = 2.7〜3.6V）
-MX29GL128F U / D：90 / 110ns（VCC = 2.7〜3.6V，V I / O = 1.65V至Vcc）-页面访问时间：
-MX29GL128F H / L：25ns
-MX29GL128F U / D：30ns
-快速编程时间：10us /字
-快速擦除时间：0.5s /扇区
•低功耗
低有效读取电流：5MHz时为10mA（典型值）
-低待机电流：20uA（典型值）
•最少100,000次擦除/编程周期
•20年数据保留
软件功能：MX29GL128FHT2I-70G
•程序/擦除暂停和程序/擦除恢复
-挂起扇区擦除操作以从另一个未读取的扇区读取数据或将数据编程到另一个扇区
已擦除
-暂停扇区编程操作以从另一个未被编程的扇区读取数据
•状态回复
-数据＃轮询和切换位提供对编程和擦除操作完成的检测
•支持通用闪存接口（CFI）
硬件功能：MX29GL128FHT2I-70G
•就绪/忙碌＃（RY / BY＃）输出
-提供检测编程和擦除操作完成的硬件方法
•硬件重置（RESET＃）输入
-提供了一种将内部状态机重置为读取模式的硬件方法
•WP＃/ ACC输入引脚
-硬件写保护引脚/提供加速的编程功能
包
•56引脚TSOP
•56球FBGA（7mm x 9mm）
•64球LFBGA（11mm x 13mm）
•所有设备均符合RoHS且不含卤素
