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NB685AGQ-Z

发布时间:2021/2/28 14:27:00 访问次数:249 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司




描述:NB685AGQ-Z
NB685为DDR3,DDR3L,LPDDR3和DDR4存储器提供了密度最高的完整电源。它集成了一个高频,同步,整流,降压,开关模式转换器(VDDQ),该转换器具有1 A灌入/拉出LDO(VTT)和缓冲低噪声基准(VTTREF)。
NB685基于MPS专有的开关损耗降低技术和内部低Ron功率MOSFET,可在较宽的输出电流负载范围内高效运行。
自适应恒定时间(COT)控制模式可提供快速的瞬态响应并简化环路稳定性。直流自动调谐环路可提供良好的负载和线路调节。
VTT LDO提供1 A的灌入/拉出电流能力,仅需22μF陶瓷电容器。 VTTREF以出色的1%精度跟踪VDDQ / 2。
全面的保护功能包括OC限制,OVP,UVP,热关机和过热警告(OTW)。
该转换器需要最少的外部组件,并且采用QFN 3mm x 3mm封装。


特点与优势:NB685AGQ-Z
4.5 V至26 V宽工作输入范围
兼容IMVP8
静态电流低至135μA
12 A连续输出电流
13 A峰值输出电流
可选超声波模式
可选500 k / 700 k开关频率
内置+/- 1 A VTTLDO
1%缓冲VTTREF输出
快速瞬变的自适应COT
直流自动调谐回路
用POSCAP和陶瓷输出电容器稳定
过热警告
内部软启动
输出放电
OCL,OVP,UVP和热关机
通过EN或电源循环重置闩锁
QFN 3mm x 3mm封装

NB685为DDR3,DDR3L,LPDDR3和DDR4存储器提供了密度最高的完整电源。它集成了一个高频,同步,整流,降压,开关模式转换器(VDDQ),该转换器具有1 A灌入/拉出LDO(VTT)和缓冲低噪声基准(VTTREF)。
NB685基于MPS专有的开关损耗降低技术和内部低Ron功率MOSFET,可在较宽的输出电流负载范围内高效运行。
自适应恒定时间(COT)控制模式可提供快速的瞬态响应并简化环路稳定性。直流自动调谐环路可提供良好的负载和线路调节。
VTT LDO提供1 A的灌入/拉出电流能力,仅需22μF陶瓷电容器。 VTTREF以出色的1%精度跟踪VDDQ / 2。
全面的保护功能包括OC限制,OVP,UVP,热关机和过热警告(OTW)。
该转换器需要最少的外部组件,并且采用QFN 3mm x 3mm封装。


特点与优势:NB685AGQ-Z
4.5 V至26 V宽工作输入范围
兼容IMVP8
静态电流低至135μA
12 A连续输出电流
13 A峰值输出电流
可选超声波模式
可选500 k / 700 k开关频率
内置+/- 1 A VTTLDO
1%缓冲VTTREF输出
快速瞬变的自适应COT
直流自动调谐回路
用POSCAP和陶瓷输出电容器稳定
过热警告
内部软启动
输出放电
OCL,OVP,UVP和热关机
通过EN或电源循环重置闩锁
QFN 3mm x 3mm封装



NB685AGQ-Z

制造商: Monolithic Power Systems (MPS)
产品种类: 开关稳压器
RoHS: 详细信息
拓扑结构: Buck
系列: NB685A
封装: Reel
产品: Voltage Regulators
类型: Synchronous Step-Down Converter
商标: Monolithic Power Systems (MPS)
产品类型: Switching Voltage Regulators
工厂包装数量: 5000
子类别: PMIC - Power Management ICs

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