NTD4813NHT4G正品原装进口现货
NTD4813NHT4G封装：TO-252
NTD4813NHT4G批号：20+
NTD4813NHT4G品牌：ON/安森美
以下为公司现货库存，欢迎来电咨询！
TW8819-NA2-CRT ，MC79M12CDTRKG ，EFM8BB21F16G-C-QSOP24R ， IGCM15F60GA ， EFM8SB20F32G-B-QFN24R，NAU8810YG ；
MC79M12CDTRKG，TPS61089RNRR，TPA3116D2DADR ， TPA3118D2DAPR ， N32926U1DN ，NUC972DF62Y/61Y ， NUC100RE3DN ，
MINI58ZDE ， TLC5971RGER , BQ25619RTWR , TPS62262TDRVRQ1 , LIF-MD6000-6UMG64I , TSSP4038 , IPW65R110CFDA , CY8C4014SXI421T ,
MFI343S00177 , MK10DN512VLL10 ,MC79M12CDTRKG , SC16IS740IPW, NAU8810YG MC74LCX07DR2G , 74LVC1G08GV,125 , TAS5719PHPR ,
PCM1808PWR , TPS2511DGNR , TPS54331DDAR , MC14052BDTR2G , MC14053BDTR2G , MBRD640CTT4G, TPS7A4001DGNR , TPS7A7001DDAR ,
CS6N70 ,STM32F101VCT6 , XMC1302-T038X0032AB , SC16IS752IBS , PESD5V0X1BCSFYL , BSS131H6327, AW9523BTQR , NSR0530HT1G ,
BSC067N06LS3GATMA1 , MC33078DR2G, BZX384-B5V6，115 , AAT4610IGV-1-T1, 0603ESDA2-TR2 , IRLMS6802TRPBF, AMS1117-5.0V ,
ZXM64N035GTA , RN1317 , IPD600N25N3G , BL5372 , AD9514BCPZ-REEL7 , BQ24314ADSGR , TPS61220DCKR , LM3478MMX , TAS5754MDCAR ,
XC3S50A-4FT256C , TS321QDBVRQ1 , DRV8870DDAR , EPM7128AETC144-7 , EPF10K130EF1484-2 , EP1S80F1020C6 ,
XC4VFX20-10FFG672C , XC4VFX20-10FFG672I , XC5VSX50T-1FFG665I , XC2VP40-6FF1152I , XC5VLX155T-1FFG1136I,
XC7K325T-2FFG900I , XC3S100E-TQG144, XC5VFX100T-2FFG1738I,XC4VFX20-10FF672I , XC3S1600R-4FG320I, AP4306BTTR-G1 ,
SN74LVU04ADBR,BSC057N06 , TS321QDBVRQ1 ,MC79M12CDTRKG,TAS5754MDCAR ,MC79M12CDTRKG, MC79M12CDTRKG ,
PCM1808PWR , TAS5731MPHRR, TPS54202DDCR, TPA3130D2DAPR , TAS5782MDCAR , TPS5548DCAR , TPA3221DDVR, TLV320AIC3254IRHBR ,
TPA3118D2DAPR , PCM5141PWR ,PCM5100APWR.TW8819-NA2-CRT ，MC79M12CDTRKG ，EFM8BB21F16G-C-QSOP24R ，
IGCM15F60GA ， EFM8SB20F32G-B-QFN24R，NAU8810YG ，MC79M12CDTRKG，TPS61089RNRR，TPA3116D2DADR ，
TPA3118D2DAPR ， N32926U1DN ，NUC972DF62Y/61Y ， NUC100RE3DN ， MINI58ZDE ， TLC5971RGER , BQ25619RTWR ,
TPS62262TDRVRQ1 , LIF-MD6000-6UMG64I , TSSP4038 , IPW65R110CFDA , CY8C4014SXI-421T , MFI343S00177 , MK10DN512VLL10 ,
MC79M12CDTRKG , SC16IS740IPW, NAU8810YG , MC74LCX07DR2G , 74LVC1G08GV,125 , TAS5719PHPR , PCM1808PWR ,
TPS2511DGNR , TPS54331DDAR , MC14052BDTR2
制造商:
ON Semiconductor
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-252-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
30 V
Id-连续漏极电流:
9 A
Rds On-漏源导通电阻:
13 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1.5 V
Qg-栅极电荷:
10 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
1.94 W
通道模式:
Enhancement
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
2.38 mm
长度:
6.73 mm
产品:
MOSFET Small Signal
系列:
NTD4813NH
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
6.22 mm
商标:
ON Semiconductor
下降时间:
19.5 ns, 16.1 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
19.5 ns, 16.1 ns
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
10.3 ns, 17.2 ns
典型接通延迟时间:
10 ns, 5.1 ns
单位重量:
4 g
三星平泽P2新工厂加快投产DRAM，或导入EUV工艺
来源：Ddaily 闪存市场作者：时间：2020-05-09 16:10
三星DRAMEUV工艺
据韩国媒体Ddaily报道，三星正在加快先进工艺的过渡，位于韩国京畿道平泽P2号工厂正在安装设备，同时建设极紫外光刻（EUV）生产线，计划生产先进的DRAM。
据行业消息称，三星与设备商已签署了设备合同，正在平泽新工厂中安装半导体设备，将用于批量投产第二代（1ynm）和第三代（1znm）10nm级DRAM，预估初期月产能约3万片12吋晶圆。
三星2020年第一季度资本支出7.3兆韩元（约60亿美元），其中半导体支出为6.0兆韩元（约49亿美元），同比增长近一倍。三星还在财报中指出，会将重点放在不断增长的服务器DRAM需求上，并通过扩大1Ynm技术迁移来增强成本竞争力，同时推进1znm DRAM的技术发展。但随着电路的物理极限越来越近，改善信号处理速度，降低工作电压和待机电压，提高新技术的DRAM产量，成为三星推进EUV工艺量产的动力。
