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S29GL032N90TFI040

发布时间:2021/2/23 20:40:00 访问次数:31发布企业:西旗科技(销售二部)





描述:S29GL032N90TFI040

赛普拉斯半导体MirrorBit®NOR GL闪存设备
赛普拉斯MirrorBit®GL NOR闪存系列针对电压,密度,每位成本,可靠性,性能和可扩展性需求进行了优化。每个MirrorBit®存储设备的密度从32MB至2GB,仅需一个3.0V电源即可实现读写功能。整个命令集与JEDEC Flash标准兼容。
MirrorBit®GL闪存设备系列支持通用封装,可在所有密度下提供一个封装。闪存还支持产品系列和处理技术。这使制造商可以根据功能来设计单一平台和简单扩展Flash存储器的容量。

特征:S29GL032N90TFI040
65nmMirrorBit®Eclipse技术
用于读取/编程/擦除的单电源(VCC)(2.7V至3.6V)
通用的I / O功能
宽的I / O电压范围(VIO):1.65V至VCC
x16数据总线
异步32字节页面读取
512字节编程缓冲器
以页面倍数编程,最大为512字节
同一单词选项上的单个单词和多个程序
扇区擦除
统一的128 KB扇区

65nmMirrorBit®Eclipse技术
用于读取/编程/擦除的单电源(VCC)(2.7V至3.6V)
通用的I / O功能
宽的I / O电压范围(VIO):1.65V至VCC
x16数据总线
异步32字节页面读取
512字节编程缓冲器
以页面倍数编程,最大为512字节
同一单词选项上的单个单词和多个程序
扇区擦除
统一的128 KB扇区
暂停和恢复命令以进行编程和擦除操作
状态寄存器,数据轮询和就绪/忙碌引脚方法来确定设备状态
高级部门保护(ASP)
每个部门的易失性和非易失性保护方法
具有两个可锁定区域的单独的1024字节一次性程序(OTP)阵列
通用Flash接口(CFI)参数表
工业温度范围(-40°C至+ 85°C)
任何典型扇区的擦除周期为100,000次
典型的20年数据保留




S29GL032N90TFI040

制造商:Cypress Semiconductor
产品种类:NOR闪存
RoHS: 详细信息
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSOP-48
系列:S29GL032N
存储容量:32 Mbit
接口类型:Parallel
组织:4 M x 8/2 M x 16
定时类型:Asynchronous
数据总线宽度:8 bit/16 bit
电源电压-最小:2.7 V
电源电压-最大:3.6 V
电源电流—最大值:50 mA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
封装:Tray
存储类型:NOR
速度:90 ns
结构:Sector
商标:Cypress / Spansion
湿度敏感性:Yes
产品类型:NOR Flash
工厂包装数量:96
子类别:Memory & Data Storage
单位重量:2.201 g




制造商:Cypress Semiconductor
产品种类:NOR闪存
RoHS: 详细信息
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSOP-48
系列:S29GL032N
存储容量:32 Mbit
接口类型:Parallel
组织:4 M x 8/2 M x 16
定时类型:Asynchronous
数据总线宽度:8 bit/16 bit
电源电压-最小:2.7 V
电源电压-最大:3.6 V
电源电流—最大值:50 mA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
封装:Tray
存储类型:NOR
速度:90 ns
结构:Sector
商标:Cypress / Spansion
湿度敏感性:Yes
产品类型:NOR Flash
工厂包装数量:96
子类别:Memory & Data Storage
单位重量:2.201 g

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