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CY7C1041GN30-10ZSXI

发布时间:2021/2/23 20:37:00 访问次数:31发布企业:西旗科技(销售二部)





描述:CY7C1041GN30-10ZSXI

通过声明芯片使能(CE)和写使能(WE)输入为LOW,同时在I / O0上提供数据通过I / O15和地址通过A17引脚在A0上。高字节使能(BHE)和字节低使能(BLE)输入控制写对指定存储器的高低字节进行操作位置。 BHE通过I / O15控制I / O8和BLE控制I / O0通过I / O7。通过声明芯片使能(CE)和输出使能(OE)输入为LOW并提供所需的地址行上的地址。读取的数据可在I / O上访问线(I / O0至I / O15)。字节访问可以通过声明所需的字节使能信号(BHE或BLE)以进行读取指定数据的高字节或低字节地址位置。所有I / O(I / O0至I / O15)均处于高阻抗状态在以下事件中:
■取消选择设备(CE HIGH)
■控制信号(OE,BLE,BHE)被置为无效


特征:CY7C1041GN30-10ZSXI
■高速
❐tAA = 10 ns / 15 ns
■低工作电流和待机电流
❐有功电流:ICC = 38mA(典型值)
❐待机电流:ISB2 = 6mA(典型值)
■工作电压范围:1.65 V至2.2 V,2.2 V至3.6 V,以及
4.5 V至5.5 V
■1.0 V数据保留
■TTL兼容的输入和输出
■无铅44引脚SOJ,44引脚TSOP II和48球VFBGA包装
功能说明
CY7C1041GN是高性能CMOS快速静态RAM
按16位组织为256K字



CY7C1041GN30-10ZSXI

制造商:Cypress Semiconductor
产品种类:静态随机存取存储器
RoHS: 详细信息
存储容量:4 Mbit
组织:256 k x 16
访问时间:10 ns
最大时钟频率:-
接口类型:Parallel
电源电压-最大:3.6 V
电源电压-最小:2.2 V
电源电流—最大值:45 mA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSOP-44
封装:Tray
存储类型:Volatile
类型:Asynchronous
商标:Cypress Semiconductor
湿度敏感性:Yes
产品类型:SRAM
工厂包装数量:135
子类别:Memory & Data Storage
单位重量:453.250 mg

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