赛普拉斯半导体S25FL512S FL-S NOR闪存器件
赛普拉斯S25FL512S FL-S NOR闪存设备是VIO VCC 2.7V至3.6V闪存非易失性存储设备。这些设备使用65nm MirrorBit技术。使用具有512字节页面编程缓冲区的Eclipse™体系结构进行设计。 512 Mb S25FL512S FL-S NOR允许用户在一次操作中编程多达256个字（512字节）。与上一代SPI编程或擦除算法相比，这导致更快的有效编程和擦除。该设备通过SPI连接到主机系统，并支持传统的SPI单比特串行输入和输出。可选的两位（双I / O或DIO）和四位（四I / O或QIO）串行命令。 S25FL512S FL-S NOR为传输地址的SIO，DIO和QIO提供对双倍数据速率读取命令的支持。 S25FL512S FL-S传输地址并在时钟的两个边沿读取数据。通过使用QIO或DDR-QIO命令以支持的更高时钟速率使用FL-S设备，读取传输速率指令可以与传统的并行接口，异步，NOR闪存匹配，同时显着减少信号计数。 S25FL512S FL-S NOR具有高密度性能，并具有各种嵌入式应用所需的灵活性和速度。 S25FL512S FL-S NOR非常适合代码阴影，XIP和数据存储。
特征：S25FL512SAGMFIG10
具有多功能I / O的CMOS 3.0 V内核
具有多I / O的串行外围设备接口
密度
512Mbits（64Mbytes）
串行外设接口（SPI）
SPI时钟极性和相位模式0和3
双倍数据速率（DDR）选项
扩展寻址：32位地址
串行命令集和封装兼容
S25FL-A，
S25FL-K和S25FL-P SPI系列
多I / O命令集和封装与S25FL-P SPI系列兼容
读取命令
普通，快速，双路，四路，快速DDR，双路DDR，四路DDR
自动引导-上电或重置并在预先选择的地址处自动执行“普通”或“四方读取”命令
通用闪存接口（CFI）数据以获取配置信息
编程（1.5MB / s）
512字节页面编程缓冲区
用于慢时钟系统的四输入页面编程（QPP）
自动ECC-内部硬件纠错码生成，带单个纠错码
清除（0.5至0.65MB / s）
统一的256 KB扇区
耐力骑行
最少100,000个程序擦除周期
资料保留
最低20年数据保留
安全功能
1024字节的一次性程序（OTP）数组
块保护：
状态寄存器位可控制对连续范围的扇区进行编程或擦除的保护。
硬件和软件控制选项
高级部门保护（ASP）
由引导代码或密码控制的单个扇区保护
具有Eclipse™架构的Cypress®65nmMirrorBit®技术
核心电源电压：2.7V至3.6V
I / O电源电压：1.65V至3.6V
SO16和FBGA封装
温度范围：
工业级（–40°C至+85°C）\工业级（–40°C至+105°C）
汽车级AEC-Q100 3级（–40°C至+85°C）
汽车级AEC-Q100 2级（–40°C至+105°C）
汽车级AEC-Q100 1级（–40°C至+125°C）
封装（全部无铅）
16引线SOIC（3亿）
BGA-24 6×8毫米
5×5球（FAB024）和4×6球（FAC024）占地面积选项
已知的好模具和已知的测试模具
相关信息
赛普拉斯FL串行NOR闪存
制造商:Cypress Semiconductor
产品种类:NOR闪存
RoHS: 详细信息
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-16
系列:S25FL512S
存储容量:512 Mbit
最大时钟频率:133 MHz
接口类型:SPI
组织:64 M x 8
定时类型:Synchronous
数据总线宽度:8 bit
电源电压-最小:2.7 V
电源电压-最大:3.6 V
电源电流—最大值:90 mA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
封装:Tray
存储类型:NOR
速度:133 MHz
结构:Eclipse
商标:Cypress / Spansion
湿度敏感性:Yes
产品类型:NOR Flash
工厂包装数量:240
子类别:Memory & Data Storage
商标名:MirrorBit
单位重量:200.700 mg
