功能概述：FM18W08-SGTR
FM18W08是32 K×8非易失性存储器，其读取和写入操作与标准SRAM类似。铁电随机存取存储器或F-RAM是非易失性的，这意味着在断电后仍保留数据。它提供了超过151年的数据保留，同时消除了电池供电SRAM（BBSRAM）的可靠性问题，功能缺点和系统设计复杂性。快速的写入时序和较高的写入耐久性使F-RAM优于其他类型的存储器。
FM18W08的操作与其他RAM器件的操作相似，因此可以用作系统中标准SRAM的直接替代品。最小读写周期时间相等。 F-RAM存储器由于其独特的铁电存储过程而具有非易失性。这些功能使FM18W08非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。该器件采用28引脚SOIC表面贴装封装。在–40°C至+85°C的工业温度范围内保证器件规格。
特征：FM18W08-SGTR
逻辑组织为32 K×8的256 Kb铁电随机存取存储器（F-RAM）
高耐用性100万亿（1014）读/写
151年数据保留（请参阅数据保留和持久性表）
NoDelay™写道
先进的高可靠性铁电工艺
低功耗
有功电流12 mA（最大）
待机电流20μA（典型值）
宽电压操作：VDD = 2.7 V至5.5 V
工业温度：–40°C至+85°C
28引脚小尺寸集成电路（SOIC）封装
符合有害物质限制（RoHS）
兼容SRAM和EEPROM
行业标准的32 K×8 SRAM和EEPROM引脚排列
存取时间70 ns，循环时间130 ns
优于电池供电的SRAM模块
无需担心电池
单片可靠性
真正的表面贴装解决方案，无需返工步骤
卓越的防潮，防震和防振性能
耐负电压下冲
制造商:Cypress Semiconductor
产品种类:F-RAM
RoHS: 详细信息
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-28
存储容量:256 kbit
接口类型:Parallel
组织:32 k x 8
电源电压-最小:2.7 V
电源电压-最大:5.5 V
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
系列:FM18W08-SG
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
访问时间:70 ns
商标:Cypress Semiconductor
湿度敏感性:Yes
工作电源电压:3.3 V
产品类型:FRAM
工厂包装数量:1000
子类别:Memory & Data Storage
单位重量:2.215 g
