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FM25V20A-DGTR

发布时间:2021/2/23 20:34:00 访问次数:28发布企业:西旗科技(销售二部)





功能概述:FM25V20A-DGTR
FM25V20A是2Mbit非易失性存储器,采用了先进的铁电工艺。铁电随机存取内存或F-RAM是非易失性的,可以执行读写操作类似于RAM。它提供了151年的可靠数据保留同时消除了复杂性,开销和系统级串行闪存,EEPROM等引起的可靠性问题非易失性存储器。与串行闪存和EEPROM不同,FM25V20A执行写操作以公交车速度运行。没有写入延迟。数据是
每个字节后立即写入存储器阵列成功转移到设备。下一个公交周期可以无需进行数据轮询即可开始。除此之外与其他产品相比,该产品具有可观的书写耐力非易失性存储器。 FM25V20A能够支持1014个读/写周期,或多一亿倍的写周期比EEPROM。这些功能使FM25V20A非常适合非易失性内存应用程序,需要频繁或快速写入。示例范围从数据收集到写次数周期对于要求严格的工业控制至关重要,串行闪存或EEPROM的长时间写入会导致数据丢失。FM25V20A为串行用户提供了很多好处EEPROM或闪存作为硬件的替代品。的FM25V20A使用高速SPI总线,可增强F-RAM技术的高速写入能力。装置包含一个只读的设备ID,该ID允许主机确定制造商,产品密度和产品修订。设备规格在工业温度范围为–40C至+85C。


特征:FM25V20A-DGTR
■逻辑上2 Mbit铁电随机存取存储器(F-RAM)组织为256 K×8
❐高耐用性100万亿(1014)读/写
❐151年的数据保留(请参阅数据保留和耐力表)De NoDelay™写道
❐先进的高可靠性铁电工艺
■非常快速的串行外围设备接口(SPI)frequency最高40 MHz的频率
❐直接更换串行闪存和EEPROM的硬件
❐支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
■完善的写保护方案using使用写保护(WP)引脚进行硬件保护using使用禁止写入指令进行软件保护
❐适用于1 / 4、1 / 2或整个阵列的软件块保护
■设备ID
❐制造商ID和产品ID
■低功耗1 MHz时有300 A的有功电流❐100A(典型值)待机电流❐3A睡眠模式电流
■低压操作:VDD = 2.0 V至3.6 V
■工业温度:–40C到+85C
■套餐
❐8引脚小尺寸集成电路(SOIC)封装
❐8针双扁平无引线(DFN)封装
■符合有害物质限制(RoHS)



FM25V20A-DGTR

制造商:Cypress Semiconductor
产品种类:F-RAM
RoHS: 详细信息
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TDFN-8
存储容量:2 Mbit
接口类型:SPI
组织:256 k x 8
电源电压-最小:2 V
电源电压-最大:3.6 V
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
封装:Reel
商标:Cypress Semiconductor
湿度敏感性:Yes
工作电源电压:2 V to 3.6 V
产品类型:FRAM
工厂包装数量:2500
子类别:Memory & Data Storage
单位重量:50 mg


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