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DMP3100L-7

发布时间:2021/2/23 15:14:00 访问次数:45发布企业:深圳市鹏顺兴科技有限公司

DMP3100L-7正品原装进口现货

DMP3100L-7封装:SOT-23

DMP3100L-7批号:20+

DMP3100L-7品牌:DIODES/美台

以下为公司现货库存,欢迎来电咨询!


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TPS2511DGNR , TPS54331DDAR , MC14052BDTR2


制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 2.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.08 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
高度: 1 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: DMP3100
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 1.3 mm
商标: Diodes Incorporated
产品类型: MOSFET


子类别: MOSFETs
单位重量: 8 mg


Qorvo推出适合雷达应用的超紧凑GaN X频段前端模块

来源:华强电子网作者:时间:2018-06-25 11:07

Qorvo雷达应用GaN X


移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo?, Inc.(纳斯达克代码:QRVO),今日宣布推出针对下一代有源电子扫描阵列 (AESA) 雷达设计的高性能 X 频段前端模块 (FEM)---QPM2637 和 QPM1002。这些符合出口标准的氮化镓 (GaN) 产品也符合任务关键型操作所必需的高 RF 功率生存性要求。

预计到 2022 年,适合雷达应用的 RF 前端组件的需求量将超过 10 亿美元,未来五年的复合年增长率为 9%。由于 GaN 普及率明显超过其他技术选项,因此预计未来五年,国防应用的 RF GaN 器件市场(如雷达、电子战和通信)的复合年增长率将达到 24%。

Qorvo 的新型 FEM(QPM2637 和 QPM1002)采用公司的创新 GaN 技术构建,可实现更高的效率、可靠性、功率和生存性,同时可缩减尺寸、重量和成本。

GaN FEM 在紧凑的单封装中集成了四种功能,包括 RF 开关、功率放大器、低噪声放大器和限幅器。典型的砷化镓 (GaAs) 低噪声放大器在不到 100mW 的输入功率条件下都会受损,与之相比,GaN FEM 的接收端可承受最高 4W 的输入功率,且不会造成永久损坏。

Qorvo 高性能解决方案总经理 Roger Hall 表示:“利用 Qorvo 经过现场验证的 GaN 技术,客户可解决许多 AESA 雷达系统设计相关挑战,包括提高功率输出和可靠性。新推出的 GaN 模块符合出口要求,提升了我们交付最高级别集成产品(四合一产品)的能力,有助于客户针对任务关键性雷达系统选择尺寸最小但性能最高的 FEM。”


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