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IS25LP032D-JBLE-TR

发布时间:2021/2/22 20:41:00 访问次数:42发布企业:西旗科技(销售二部)





一般说明:IS25LP032D-JBLE-TR
IS25LP032D和IS25WP032D串行闪存提供了通用的存储解决方案,具有高度的灵活性和简化的引脚数封装的高性能。 ISSI的“工业标准串行接口”闪存适用于以下系统需要有限的空间,较少的引脚数和较低的功耗。通过4线SPI访问设备接口,包括串行数据输入(SI),串行数据输出(SO),串行时钟(SCK)和芯片使能(CE#)引脚,也可以配置为用作多I / O(请参见引脚说明)。该器件支持双路和四路I / O以及标准,双路输出和四路输出SPI。时钟频率高达133MHz的频率允许高达532MHz(133MHz x 4)的等效时钟速率,相当于66Mbytes / s数据吞吐量。 IS25xP系列Flash增加了对传输DTR(双传输速率)命令的支持地址并在时钟的两个边沿读取数据。这些传输速率可以超过16位并行Flash内存允许有效的内存访问以支持XIP(就地执行)操作。出厂时,存储阵列的初始状态被擦除(所有位均设置为1)。QPI(四外围接口)支持2周期指令,从而进一步减少了指令时间。页面可以是以4KB扇区,32KB块,64KB块和/或整个芯片为一组擦除。统一部门块架构具有高度的灵活性,因此该设备可用于多种需要可靠数据保留的应用程序。

特征:IS25LP032D-JBLE-TR
行业标准串行接口
-IS25LP032D:32Mbit / 4Mbyte
-IS25WP032D:32Mbit / 4Mbyte
-每个可编程页256个字节
-支持标准SPI,快速,双路,双路I / O,四路,四路I / O,SPI DTR,双路I / ODTR,Quad I / O DTR和QPI
-支持可发现的串行闪存
参数(SFDP)
高性能串行闪存(SPI)
-50MHz正常和133Mhz快速读取
-532 MHz等效QPI
-最高66MHz的DTR(双传输速率)
-可选的假人循环
-可配置的驱动强度
-支持SPI模式0和3
-超过100,000个擦除/程序周期
-超过20年的数据保留
灵活高效的内存架构
-均匀擦除芯片:扇区/块擦除(4/32/64 KB)
-每页编程1至256字节
-程序/擦除暂停和恢复
高效的读取和编程模式
-低指令开销操作
-连续读取8/16/32/64字节爆裂包
-可选的突发长度
-QPI减少了指令开销
-自动启动操作


低功耗,宽温度。范围
-单电源
IS25LP:2.30V至3.60V
IS25WP:1.65V至1.95V
-4 mA有效读取电流(典型值)
-10 μA待机电流(典型值)
-1 μA深度掉电(典型值)
-温度等级:
扩展:-40°C至+ 105°C
自动等级(A3):-40°C至+ 125°C
先进的安全保护
-软件和硬件写保护
-电源锁定保护
-4x256字节专用安全区域
具有OTP用户可锁定位
-每个设备的128位唯一ID
(致电工厂)
行业标准的引脚排列和封装(1)
-B = 8引脚SOIC 208mil
-N = 8引脚SOIC 1.5亿
-T = 8触点USON 4x3mm
-E = 8触点XSON 4x4mm
-K = 8触点WSON 6x5mm
-L = 8触点WSON 8x6mm(致电工厂)
-M = 16引脚SOIC 3亿
-G = 24球TFBGA 4x6阵列
-H = 24球TFBGA 5x5阵列
-KGD(致电工厂)



IS25LP032D-JBLE-TR

制造商:ISSI
产品种类:NOR闪存
RoHS: 详细信息
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-Wide-8
系列:IS25LP032D
存储容量:32 Mbit
最大时钟频率:133 MHz
接口类型:QPI, SPI
组织:4 M x 8
数据总线宽度:8 bit
电源电压-最小:2.3 V
电源电压-最大:3.6 V
电源电流—最大值:25 mA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 105 C
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
存储类型:NOR
速度:133 MHz
结构:Block, Uniform Sector
商标:ISSI
湿度敏感性:Yes
产品类型:NOR Flash
工厂包装数量:2000
子类别:Memory & Data Storage
单位重量:410 mg


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