位置:51电子网 » 企业新闻

IRFP054NPBF

发布时间:2021/2/22 19:57:00 访问次数:41发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





描述:IRFP054NPBF
55V正极N通道HEXFET功率MOSFET,采用TO-247AC封装


优势:IRFP054NPBF
宽SOA的平面单元结构
针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
根据JEDEC标准的产品认证
硅经过优化,适用于低于100kHz的开关应用
行业标准的通孔电源封装
高电流承载能力封装(高达195 A,取决于芯片尺寸)
针对高功率密度


IRFP054NPBF

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 81 A
Rds On-漏源导通电阻: 12 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 130 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 170 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
配置: Single
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
商标: Infineon / IR
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 400
子类别: MOSFETs
单位重量: 38 g

上一篇:IRFP7430PBF

下一篇:MPQ4423GQ-AEC1-Z

相关新闻

相关型号