位置:51电子网 » 企业新闻

IRL2910PBF

发布时间:2021/2/22 19:56:00 访问次数:38发布企业:西旗科技(深圳)有限公司






描述:IRL2910PBF
100V正极N通道HEXFET功率MOSFET,采用TO-220AB封装


特征描述:IRL2910PBF
宽SOA的平面单元结构
针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
根据JEDEC标准的产品认证
硅经过优化,适用于低于100kHz的开关应用
行业标准的通孔电源封装
高电流承载能力封装(高达195 A,取决于芯片尺寸)
能够波峰焊


IRL2910PBF

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 48 A
Rds On-漏源导通电阻: 26 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 93.3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 200 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon / IR
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
单位重量: 6 g

上一篇:IRS44273LTRPBF

下一篇:IRL3713PBF

相关新闻

相关型号