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MBRD660CTT4G

发布时间:2021/2/20 22:58:00 访问次数:141 发布企业:西旗科技(销售二部)





描述:MBRD660CTT4G

这些最先进的设备设计用于交换电源,逆变器和续流二极管。


特征:MBRD660CTT4G
•快速切换
•极低的前向跌落
•带有雪崩护圈的白金屏障
•用于汽车和其他应用的NRVBD和SBRV前缀要求唯一的站点和控件更改要求;符合AEC-Q101和PPAP标准
•这些设备无铅且符合RoHS要求


机械特性:MBRD660CTT4G
•外壳:环氧树脂,模制
•重量:0.4克(大约)
•表面处理:所有外部表面均耐腐蚀并能终接引线易于焊接
•用于焊接目的的引线和安装表面温度:最高260°C 持续10秒
•ESD等级:
♦机器型号= C
♦人体模型= 3B



MBRD660CTT4G

制造商:ON Semiconductor
产品种类:肖特基二极管与整流器
RoHS: 详细信息
产品:Schottky Diodes
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:DPAK
If - 正向电流:6 A
Vrrm - 重复反向电压:60 V
Vf - 正向电压:0.9 V
Ifsm - 正向浪涌电流:75 A
配置:Dual Common Cathode
技术:Si
Ir - 反向电流 :100 uA
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 175 C
系列:MBRD660CT
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:2.38 mm
长度:6.73 mm
工作温度范围:- 65 C to + 175 C
端接类型:SMD/SMT
类型:Schottky Diode
宽度:6.22 mm
商标:ON Semiconductor
产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量:2500
子类别:Diodes & Rectifiers
零件号别名:MBRD660CTG
单位重量:260.400 mg


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