NTB60N06T4G正品原装进口现货
NTB60N06T4G封装：TO-263
NTB60N06T4G批号：20+
NTB60N06T4G品牌：ON/安森美
以下为公司现货库存，欢迎来电咨询！
TW8819-NA2-CRT ，MC79M12CDTRKG ，EFM8BB21F16G-C-QSOP24R ， IGCM15F60GA ， EFM8SB20F32G-B-QFN24R，NAU8810YG ；
MC79M12CDTRKG，TPS61089RNRR，TPA3116D2DADR ， TPA3118D2DAPR ， N32926U1DN ，NUC972DF62Y/61Y ， NUC100RE3DN ，
MINI58ZDE ， TLC5971RGER , BQ25619RTWR , TPS62262TDRVRQ1 , LIF-MD6000-6UMG64I , TSSP4038 , IPW65R110CFDA , CY8C4014SXI421T ,
MFI343S00177 , MK10DN512VLL10 ,MC79M12CDTRKG , SC16IS740IPW, NAU8810YG MC74LCX07DR2G , 74LVC1G08GV,125 , TAS5719PHPR ,
PCM1808PWR , TPS2511DGNR , TPS54331DDAR , MC14052BDTR2G , MC14053BDTR2G , MBRD640CTT4G, TPS7A4001DGNR , TPS7A7001DDAR ,
CS6N70 ,STM32F101VCT6 , XMC1302-T038X0032AB , SC16IS752IBS , PESD5V0X1BCSFYL , BSS131H6327, AW9523BTQR , NSR0530HT1G ,
BSC067N06LS3GATMA1 , MC33078DR2G, BZX384-B5V6，115 , AAT4610IGV-1-T1, 0603ESDA2-TR2 , IRLMS6802TRPBF, AMS1117-5.0V ,
ZXM64N035GTA , RN1317 , IPD600N25N3G , BL5372 , AD9514BCPZ-REEL7 , BQ24314ADSGR , TPS61220DCKR , LM3478MMX , TAS5754MDCAR ,
XC3S50A-4FT256C , TS321QDBVRQ1 , DRV8870DDAR , EPM7128AETC144-7 , EPF10K130EF1484-2 , EP1S80F1020C6 ,
XC4VFX20-10FFG672C , XC4VFX20-10FFG672I , XC5VSX50T-1FFG665I , XC2VP40-6FF1152I , XC5VLX155T-1FFG1136I,
XC7K325T-2FFG900I , XC3S100E-TQG144, XC5VFX100T-2FFG1738I,XC4VFX20-10FF672I , XC3S1600R-4FG320I, AP4306BTTR-G1 ,
SN74LVU04ADBR,BSC057N06 , TS321QDBVRQ1 ,MC79M12CDTRKG,TAS5754MDCAR ,MC79M12CDTRKG, MC79M12CDTRKG ,
PCM1808PWR , TAS5731MPHRR, TPS54202DDCR, TPA3130D2DAPR , TAS5782MDCAR , TPS5548DCAR , TPA3221DDVR, TLV320AIC3254IRHBR ,
TPA3118D2DAPR , PCM5141PWR ,PCM5100APWR.TW8819-NA2-CRT ，MC79M12CDTRKG ，EFM8BB21F16G-C-QSOP24R ，
IGCM15F60GA ， EFM8SB20F32G-B-QFN24R，NAU8810YG ，MC79M12CDTRKG，TPS61089RNRR，TPA3116D2DADR ，
TPA3118D2DAPR ， N32926U1DN ，NUC972DF62Y/61Y ， NUC100RE3DN ， MINI58ZDE ， TLC5971RGER , BQ25619RTWR ,
TPS62262TDRVRQ1 , LIF-MD6000-6UMG64I , TSSP4038 , IPW65R110CFDA , CY8C4014SXI-421T , MFI343S00177 , MK10DN512VLL10 ,
MC79M12CDTRKG , SC16IS740IPW, NAU8810YG , MC74LCX07DR2G , 74LVC1G08GV,125 , TAS5719PHPR , PCM1808PWR ,
TPS2511DGNR , TPS54331DDAR , MC14052BDTR2
制造商:
ON Semiconductor
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-263-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
60 V
Id-连续漏极电流:
60 A
Rds On-漏源导通电阻:
14 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
2 V
Qg-栅极电荷:
81 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
150 W
通道模式:
Enhancement
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
4.83 mm
长度:
10.29 mm
系列:
NTB60N06
晶体管类型:
1 N-Channel
类型:
MOSFET
宽度:
9.65 mm
商标:
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值:
35 S
下降时间:
142.5 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
180.7 ns
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
94.5 ns
典型接通延迟时间:
25.5 ns
单位重量:
4 g
三星在美建厂或二季度动工 要求10亿美元税收优惠
来源：科创板日报 网络整理作者：时间：2021-02-05 16:03
三星建厂税收优惠
三星在美芯片厂有望落地德州，其与当地政府的博弈还在持续。
根据三星电子向美国德克萨斯州提交的文件，该公司正考虑在德州首府奥斯汀投资170亿美元建设一个芯片代工厂，新工厂面积达700万平方英尺（约65万平方米），可能创造1800个工作岗位，将为外部客户生产“先进逻辑设备”。如果三星选择奥斯汀作为新的芯片工厂，该工厂最早将于今年第二季度破土动工，计划于2023年底完成。
文件中，三星要求奥斯汀当地政府为其提供总价值约10亿美元的税收优惠。其中，三星向奥斯汀所在地特拉维斯县（Travis County）申请未来20年内减税100％，价值7.183亿美元。特拉维斯县发言人赫克托?涅托表示，该县尚未收到三星的正式申请，拒绝进一步评论此事。
对于奥斯汀来说，未来有望从中获得丰厚回报。拟议中的新工厂预计其员工的初始平均年薪约6.63万美元。根据三星向该州提交的文件，该厂在运营的前20年中可能为当地带来86亿美元的收入。
三星自去年10月就开始筹建美国新厂，在其位于美国德克萨斯州奥斯汀市的代工厂附近购买了一块面积达104089平方米的场地，相当于140个足球场。12月开始申请将这些土地用途变更为工业开发用地。
目前，三星在奥斯汀有一家生产计算芯片的工厂，为fabless客户生产14nm、28nm和32nm制程芯片，尚未配备用于7nm或7微米以下产品的EUV光刻设备。花旗银行的研究报告曾显示，目前奥斯汀的工厂产能较小，无法满足英特尔、高通和特斯拉等公司不断增加的芯片外包业务。
这一情形或即将转变。此前1月25日，据华尔街日报报道，三星将跳过4nm工艺，直接建设可量产3nm芯片的新厂。知情人士分析，这可能是三星第一家在美国使用EUV光刻机的晶圆代工厂。
但三星新厂不一定花落奥斯汀，凤凰城、杰纳西、韩国本土的工厂均在三星考虑范围内。据奥斯汀美国政治报此前1月23日援引知情人士消息，奥斯汀之外，三星还考虑在凤凰城及其周围地区寻找新厂址，并在纽约西部的杰纳西县建立了一个大型工业园区。
上述知情人士说，三星是否会继续在美扩张取决于美国联邦政府提供的优惠政策，以及地方拿地成本。
新厂址尚未正式敲定，订单已经如雪片般向三星飞来。2月3日，传由于台积电先进制程供不应求，大客户AMD有意转移部分代工订单至三星。另外，1月24日，据韩国经济日报报道，三星电子已接到英特尔南桥（Southbridge）芯片的生产订单，可能会在其奥斯汀工厂生产这一芯片，接获的订单量将相当于每月15000片晶圆。
