描述：MMUN2233LT1G
具有单片偏置的NPN晶体管电阻网络
特征：MMUN2233LT1G
•简化电路设计
•减少板空间
•减少组件数量
•适用于汽车和其他应用的S和NSV前缀唯一的站点和控件更改要求； AEC-Q101合格且具有PPAP能力
•这些设备无铅，无卤素/无溴化阻燃剂并且符合RoHS要求
制造商:MMUN2233LT1G
ON Semiconductor
产品种类:
双极晶体管 - 预偏置
RoHS:
详细信息
配置:
Single
晶体管极性:
NPN
典型输入电阻器:
4.7 kOhms
典型电阻器比率:
0.1
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min:
80, 200
集电极—发射极最大电压 VCEO:
50 V
集电极连续电流:
0.1 A
峰值直流集电极电流:
100 mA
Pd-功率耗散:
246 mW
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
系列:
MMUN2233L
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
直流电流增益 hFE 最大值:
80
高度:
0.94 mm
长度:
2.9 mm
宽度:
1.3 mm
商标:
ON Semiconductor
产品类型:
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量:
3000
子类别:
Transistors
单位重量:
8 mg
