AO4884

描述：AO4884
40V双N沟道MOSFET
AO4884使用先进的沟槽技术来提供具有低栅极电荷的出色RDS（ON）。 这是全部用途广泛的专用设备电源转换应用

产品概要：AO4884
VDS 40V
ID（在VGS = 10V时）10A
RDS（ON）（在VGS = 10V时）<13mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V时）<16mΩ
经过100％UIS测试
已测试100％Rg

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件编号AO4884
描述MOSFET 2N-CH 40V 10A 8SOIC
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）
原厂标准交货期26 周
详细描述2-N-通道（双）-Mosfet-阵列-40V-10A-2W-表面贴装型-8-SOIC

一般信息：AO4884

数据列表AO4884;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列-

规格：AO4884

FET 类型2 N-通道（双）
FET 功能逻辑电平门
漏源电压（Vdss）40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）10A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）13 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1950pF @ 20V
功率 - 最大值2W
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装8-SOIC