描述：CSD18533Q5A
这款4.7mΩ，60V，SON 5mm x 6mm NexFET功率MOSFET被设计成在功率转换应用中替代地降低功率损耗。
特性：CSD18533Q5A
超低Qg和Qgd
低热阻
雪崩额定值
逻辑合理
无铅铅镀层
符合RoHS标准
无卤素
小尺寸尺寸无引线（SON）5mm x 6mm塑料封装
应用范围：CSD18533Q5A
直流-直流转换
次级侧同步整流器
电机控制
制造商:CSD18533Q5A
Texas Instruments
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
VSONP-8
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
60 V
Id-连续漏极电流:
100 A
Rds On-漏源导通电阻:
6.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1.9 V
Qg-栅极电荷:
29 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
3.2 W
配置:
Single
商标名:
NexFET
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
1 mm
长度:
6 mm
系列:
CSD18533Q5A
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
4.9 mm
商标:
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值:
122 S
下降时间:
2 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
5.5 ns
工厂包装数量:
2500
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
15 ns
典型接通延迟时间:
5.2 ns
