描述：AO6409
20V P沟道MOSFET
AO6409使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和带栅极工作电压低至1.8V。 该设备适合用作负载开关的应用。
产品概要：AO6409
VDS -20V
ID（在VGS = -4.5V时）-5.5A
RDS（ON）（在VGS = -4.5V时）<41mΩ
RDS（ON）（在VGS = -2.5V时）<53mΩ
RDS（ON）（在VGS = -1.8V时）<65mΩ
ESD保护
制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件编号AO6409
描述MOSFET P-CH 20V 5.5A 6TSOP
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）
原厂标准交货期26 周
详细描述表面贴装型-P-通道-20V-5.5A（Ta）-2.1W（Ta）-6-TSOP
一般信息：AO6409
数据列表AO6409;
TSOP6 Pkg Drawing;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列-
规格：AO6409
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）45 毫欧 @ 5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）17.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1450pF @ 10V
FET 功能-
功率耗散（最大值）2.1W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装6-TSOP
封装/外壳SC-74，SOT-457
