磁阻效应（Magnetoresistance Effects）是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。
同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态时，某—速度的
载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流子将向电场力
方向偏转，比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。这种偏转导致载流子的漂移路径增加。或者说，
沿外加电场方向运动的载流子数减少，从而使电阻增加。这种现象称为磁阻效应。
RM3100(PNI磁传感器组件)
RM2100(PNI磁传感器组件)
RM3100磁传感器套件是由2个XY轴磁传感器Sen-XY-f(13104)，1个Z轴磁传感器Sen-Z-f(13101)
和1个ASIC控制器MagI2C(13156)组成。
SENtral（9轴运动传感器数据融合芯片）
TRAX（AHRS姿态检测系统TRAX模块）
TargetPoint(美国PNI三轴电子罗盘TargetPoint DMC系列模块）
SpaceScout（9轴姿态检测传感器）
SeaTRAX（PNI三轴电子罗盘SeaTRAX系列）
V2XE（PNI低功耗2轴罗盘模块）
Prime(PNI三轴电子倾角补偿电子罗盘)
TCM-XB(PNI TCM系列电子罗盘)pn12810
SENtral M&M(9轴姿态检测模块)
电荷的积累而出现 电势差。
电磁感应：线圈切割地磁场的磁力线则将在线圈的两端产 生感应电动势。
AMR(相异性磁力阻抗感应)
GMR(巨磁) 效应
RM3100地磁传感器采用PNI专有的磁感应传感器技术，提供高分辨率、低功耗、无滞后、大动态范围和高采样率，是需要精确指南针标题和精确磁场测量的应用的理想选择。
RM3100 是军用级传感器，以消费者价格。它已被证明在广泛的应用，包括无人机，机器人，载人和无人驾驶车辆，船舶，科学，国防和汽车。
主要特点 提供高增益、高采样率和无滞后 测量在温度上稳定，固有的无偏移漂移 高传感器采样率和精确的磁场测量可实现任何应用的精确传感器融合算法开发 RM3100 的 MagI2C 具有连续测量模式和单测量轮
询以及软件可配置分辨率 I2C 和 SPI 接口提供系统设计灵活性 技术规格
