描述：FDA18N50
FDA18N50：功率MOSFET，N长度，UniFETTM，500 V，19 A，265mΩ，TO-3PUniFETTM MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。此MOSFET适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率 因数校正（PFC），平板显示屏（FPD）电视电源，ATX和电子灯镇流器。
RDS（on）=265mΩ（续）（在VGS = 10V且ID = 9.5A时）
低浓缩甲醛（典型值45nC）
低Crss（典型值25pF）
100％经过雪崩击穿测试
该产品是一般用途，适用于许多不同的应用程序。
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3PN-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 19 A
Rds On-漏源导通电阻: 265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 60 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 239 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
配置: Single
高度: 20.1 mm
长度: 16.2 mm
系列: FDA18N50
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 25 S
下降时间: 90 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 165 ns
工厂包装数量: 450
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 95 ns
典型接通延迟时间: 55 ns
单位重量: 6.401 g
