描述：AON7296
100V N沟道MOSFETAON7296使用沟槽MOSFET技术
经过独特的优化以提供最高效的
频率切换性能。传导和
开关电源损耗由于
RDS（ON），Ciss和Coss的组合极低。
该器件非常适合升压转换器和同步
消费，电信，工业电源整流器
和LED背光。
产品概要：AON7296
VDS
ID（在VGS = 10V时）12.5A
RDS（ON）（在VGS = 10V时）<66mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V时）<90mΩ
经过100％UIS测试
100％汞
经过测试
详细参数：AON7296
参数名称参数值
是否Rohs认证符合符合
生命周期
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包装说明S-PDSO-F5
达到合规性
风险等级1.76
雪崩能效等级（Eas）0.8 mJ
外壳连接排水
使用内置二极管配置单个
最小漏源击穿电压100 V
最大最大值电流（ID）12.5 A
最大漏源导通电阻0.066Ω
场效应管技术金属氧化物半导体
JESD-30代码S-PDSO-F5
元件数量1
端子数量5
工作模式
最低工作温度-55°C
封装主体材料PLASTIC / EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
暂未确定初始温度（摄氏度）
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲交流电流（IDM）25 A
表面贴装是
端子形式FLAT
端子位置DUAL
未指定处于初始温度下的最极端
晶体管应用开关
晶体管元件材料SILICON
