描述：AOD4126
100V N沟道MOSFETSDMOS
AOD4126＆AOI4126采用SDMOSTM制造
沟槽技术结合了出色的RDS（ON）与
栅极电荷低，结果具有出色的效率
控制开关行为。 这项通用技术是
非常适合PWM，负载切换和通用
应用程序。
产品概要：AOD4126
VDS
ID（在VGS = 10V时）43A
RDS（ON）（在VGS = 10V时）<24mΩ
RDS（ON）（在VGS = 7V时）<30mΩ
经过100％UIS测试
100％汞
经过测试
详细参数：AOD4126
参数名称参数值
是否Rohs认证符合符合
生命周期
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包装说明，
达到合规性
风险等级1.78
Samacsys说明Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin（2 + Tab）DPAK
配置单
最大短路电流（Abs）（ID）43 A
场效应管技术金属氧化物半导体
工作模式
最高工作温度175°C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散（Abs）100 W
子类别FET通用电源
表面贴装是
