标准包装 1
包装 剪切带（CT）
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 eGaN®
其它名称 917-1126-1
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss） 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 48A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 毫欧 @ 30A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 11mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 15nC @ 5V
Vgs（最大值） +6V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1530pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） -
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 模具
封装/外壳 模具
产品图片：
电力成本是社会经济活力的关键驱动力，因为它使我们能够提高生活质量，促进新的应用和产业。
硅已经达到了它的物理极限，因此，它不再能够满足我们对越来越高效的功率的需求。为了重新建立动力，
需要一种新材料。 EPC是基于氮化镓（GaN）的电源管理技术的领先供应商，并不仅仅是提高电力效率。
它还使五年前不存在的新的、改变生活的应用程序得以实现。从无线电力和自主车辆到高速移动通信、
低成本卫星和医疗保健的转变，在许多其他领域中，GaN正在成为那些渴望保持在行业前沿的进步型公司的首选技术。
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