M30082040054X0IWAY

a" data-cycle-center-horz="true" data-cycle-timeout="10000" cookie-tracking="ref_page_type=SP;ref_page_sub_type=PH;ref_page_id=%7B84DCE949-FA0E-4C23-97DC-6FA3EC1DC925%7D;ref_page_event=Supplier%20Link;header_flag=link" style="margin-bottom:25px;font-family:Arial, Helvetica, sans-serif, dk;white-space:normal;position:relative;"> M1000 / M3000系列MRAM 瑞萨的高速，高性能，非易失性MRAM提供卓越的可靠性

瑞萨（Renesas）的MRAM系列高速，高性能108 MHz非易失性RAM提供卓越的可靠性，并具有超过20年的数据保留能力。与非易失性SRAM相比，它不需要备用电池或电容器。M30xx支持四路SPI SDR和DDR接口，工作温度范围为-40°C至+ 105°C（工业级版本），并提供SOIC或WSON封装。MRAM器件非常适合高速非易失性存储器应用，例如程序存储和数据备份。

特征 非易失性存储器 高耐久性：> 10E16周期 长期数据保留：> 20年 快速读写，无需等待写入 具有硬件保护模式（HPM），用户可编程/锁定的特殊NVM和软件保护模式（SPM）的数据保护 无需备用电池 利用先进的pMTJ STT-MRAM技术 内存密度：4 Mb至16 Mb 高速Quad SPI接口，高达108 MHz SDR模式 最低有效写和读电流 独立的256字节用户可编程和可锁定NVM 工业工作温度：-40°C至+ 105°C 电源电压：1.8 V，3 V 封装：8引脚SOIC和8焊盘WSON 应用领域 工业控制与自动化 医疗设备 可穿戴 网络系统 储存/ RAID 汽车行业