UJ3N065025K3S

发布时间:2020/7/15 9:33:00 访问次数:112 发布企业:深圳市徕派德电子有限公司

UJ3N系列SiC JFET UnitedSiC的UJ3N系列SiC JFET具有低栅极电荷，可实现低导通并降低开关损耗

UnitedSiC的UJ3N系列SiC JFET的图像 UnitedSiC的UJ3N系列是从650V到1200V的高性能SiC常通JFET晶体管，具有低至25mohm的超低导通电阻（RDS（ON））。栅极电荷（QG）也很低，从而可实现低导通，降低开关损耗以及电路保护。

特征 650 V至1200 V设备选项 25 mohm的低导通电阻限流：由于自发热导致电流快速降低，限制了I2t 常开JFET：VG（th）随温度不变符合RoHS 应用领域过电流保护电路 DC / AC逆变器开关电源功率因数校正模块马达驱动器感应加热

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