SiC MOSFET和IGBT驱动器9A峰值输出–
IX4351NE
IXYS的
IX4351NE具有保护功能，包括UVLO和热关机检测
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IX4351NE" width="200" src="https://www.digikey.com/-/media/Images/Product%20Highlights/I/IXYS%20Integrated%20Circuits%20Division/SiC%20MOSFET%20and%20IGBT%20Driver%209%20A%20Peak%20Output%20IX4351NE/ixys-sic-mosfet-and-igbt-driver-9-a-peak-output-IX4351NE-200.jpg?ts=976413dd-873b-4834-91bc-5714199a5eca&la=en-US" title="IXYS的SiC MOSFET和IGBT驱动器9 A峰值输出– IX4351NE" style="float:right;margin:0px 0px 10px 15px;max-width:100%;height:auto;" />IXYS集成电路，一个Littelfuse的技术，设计了一个司机的工作特别是与碳化硅MOSFET和高功率IGBT。单独的9 A源极和漏极输出可实现量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器可提供可选的负栅极驱动偏置，以改善dv / dt抗扰度并加快关断速度。
IXYS集成电路事业部还为IX4351提供了一块评估板，其中包含所有必要的电路，以演示高功率SiC MOSFET栅极驱动器和SiC MOSFET的功能。该评估板包括来自Littelfuse的LSIC1MO120E0080 1200 V SiC MOSFET，典型RDS（ON）为80m，ID为25A。
MOSFET特性
单独的9 A峰值源和宿输出
工作电压范围：-10 V至+25 V
内部负电荷泵调节器，提供可选的负栅极驱动偏置
使用软关机接收器驱动程序进行去饱和检测
TTL和CMOS兼容输入
欠压锁定（UVLO）
热关断
开漏故障输出
评估板功能
栅极驱动器上的9 A源极和漏极输出
输出能够切换25 A
栅极驱动电源范围为13 V至25 V
3.3 V / 5 V CMOS / TTL逻辑兼容性可实现与微控制器的无缝接口
独立的欠压锁定（UVLO）
输入引脚包括施密特触发器，具有更好的抗噪能力
具有软关机功能的去饱和检测
负电荷泵
