IXYS是Littelfuse技术的IXYA20N120_4HV系列IGBT，是使用专有的XPT™薄晶圆技术和最新的第四代（GenX4）沟槽IGBT工艺开发的。这些1200 V器件具有降低的热阻，低能量损耗，快速开关，低尾电流和高电流密度的特点。正的集电极-发射极电压温度系数使设计人员可以并行使用多个器件，以满足高电流要求和低栅极电荷的要求，这有助于降低栅极驱动要求和开关损耗。它们以TO-263HV封装提供三种不同的开关类别A，B和C。
IXYA20N120A4HV
发布时间:2020/7/9 9:39:00 访问次数:163 发布企业:深圳市徕派德电子有限公司
采用GenX4™沟道技术的IGBT-IXYA20N120_4HV系列
IXYS IGBT使设计人员可以并行使用多个器件，以满足高电流要求和低栅极电荷
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